Сопротивление - транзистор
Cтраница 1
 |
Регулировка коэффициента усиления с помощью нелинейного управляемого сопротивления ( варистора Re.| Схемы регулировки коэффициента усиления с помощью нелинейных делителей на входе. [1] |
Сопротивление транзистора может меняться в достаточно широких пределах ( от нескольких десятков ом до нескольких килоом) при сравнительно небольшой мощности, потребляемой от усилителя АРУ. [2]
 |
Временные диаграммы генераторов линейно изменяющегося напряжения.| ГЛИН с простой интегрирующей цепью и временная диаграмма его работы. [3] |
Сопротивление транзистора мало, напряжение на его коллекторе, на конденсаторе С и на выходе близко к нулю. [4]
Сопротивление транзистора, а значит, и постоянная времени цепи C4R6R7VT5 уменьшаются. Длительность формируемыходновибратором отрицательных импульсов становится меньше. Так как частота задающего генератора постоянна, то транзисторы VT3, VT4 открываются на большее время и выходное напряжение возвращается к установленному уровню. [5]
Сопротивление транзистора по переменному току велико и равно сопротивлению коллекторного перехода гк, а по постоянному - мало. В результате в отсутствие входного сигнала дифференциального усилителя напряжения на выходе схемы рис. 5.13, s равно нулю, а переменный сигнал даже самой низкой частоты практически без изменения проходит в нагрузку. [6]
Сопротивление транзистора в состоянии отсечки составляет десятки мегаом, а в состоянии насыщения - несколько ом. Поэтому в приближенных инженерных расчетах можно принимать это сопротивление бесконечно большим в первом случае и равным нулю во втором. [7]
Сопротивление транзистора при этом велико. Транзистор VT2 подключен через переключатель ( нажатую кнопку АВТ) ко входу транзистора VT5 блока стереодекодера ( см. рис. 8.18) и его большое сопротивление при этом не влияет на работу стереодекодера. [8]
Сопротивление транзисторов VT2 и VT3 при этом минимально ( транзисторы открыты) и по цепи: плюс - диод УДЗ - эмиттер - база транзистора VT3 - диод УД2 - эмиттер - коллектор транзистора VT2 - резистор R6 идет ток базы выходного транзистора VT3, необходимый для его открытого состояния. Таким образом, при Ur t / per транзистор VT1 закрыт, а транзисторы VT2 и VT3 открыты. [9]
Сопротивление транзистора VT1 минимально, и потенциал базы транзистора VT2 оказывается выше потенциала его эмиттера. Ток возбуждения генератора, минуя транзистор VT3, проходит через добавочный резистор R8 и его величина резко падает. Описанный процесс периодически повторяется, что обеспечивает поддержание заданного уровня напряжения генератора. [10]
Сопротивление транзистора Т2 при этом минимально ( транзистор открыт) и по цепи плюс выпрямителя, диод ДЗ, эмиттер - база транзистора ТЗ диод Д2, эмиттер-коллектор транзистора Т2, сопротивление R6 идет ток базы выходного транзистора ТЗ, необходимый для его открытого состояния. Таким образом, при уровне выпрямленного напряжения меньше заданного транзистор 7 / закрыт, а транзисторы Т2 и ТЗ открыты, что обеспечивает прохождение максимального тока возбуждения. [11]
Сопротивление транзистора ( промежуток эмиттер - коллектор), включенного последовательно с реле, при этом достаточно велико, и реле не срабатывает. В момент передачи второго напряжения с частотой / 2, подаваемого на эмиттер - базу, транзистор, работающий в релейном режиме, отпирается. Конденсатор С разряжается через транзистор на реле и вызывает его срабатывание. [12]
Сопротивление транзистора Тр-2 ( промежуток эмиттер - коллектор), последовательно включенного с реле, при этом достаточно велико, поэтому реле не срабатывает. В момент передачи второй частоты / 2 последняя проходит через контур Сч - Lz и через диодный выпрямитель и, попадая на транзистор, отпирает его. [13]
Определим сопротивление транзистора ТЗ для постоянного и переменного тока. [14]
Зависимость сопротивления транзистора в отпертом и запертом состоянии от температуры оказывает влияние на стабильность коэффициента модуляции модулятора. Наиболее важным фактором, обусловливающим погрешность модулятора, является остаточное напряжение, проявляющееся в состоянии отпертого транзистора. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5