Cтраница 2
Так как сопротивления транзисторов не могут быть абсолютно одинаковыми, то их коллекторные токи окажутся различными и, следовательно, намагничивающие силы верхней ( ао) и нижней ( об) половин первичной обмотки трансформатора будут также различны. В результате неравенства встречно действующих намагничивающих сил создается результирующий магнитный поток в магнитопроводе трансформатора, который индуцирует в обмотке обратной связи ( в г) ЭДС, направленную так, чтобы на базу транзистора, через который первоначально протекал большой ток ( например, TI), было приложено отрицательное напряжение, а на базу транзистора, через который при включении протекал меньший ток ( например, Т2), - положительное напряжение. Это приведет к увеличению тока коллектора транзистора Тг и уменьшению тока коллектора транзистора Т2, вследствие чего увеличится как магнитный поток в сердечнике трансформатора, так и ЭДС, индуцируемая в обмотке обратной связи. Дальнейшее уменьшение сопротивления транзистора TI вызывает увеличение тока, протекающего через этот транзистор и верхнюю половину первичной обмотки трансформатора, что увеличивает магнитный поток и ЭДС обмотки обратной связи, которая уменьшает сопротивление транзистора TI. Увеличение тока в верхней половине первичной обмотки и магнитного потока в магнитопроводе трансформатора происходит до насыщения материала последнего. [16]
Тепловые шумы сопротивлений транзистора, связанные с тепловым движением носителей тока в объеме транзистора, главным образом в базовой области. [17]
При увеличении входного напряжения сопротивление р-канального транзистора увеличивается, а л-канального транзистора уменьшается. Поскольку транзисторы ключа управляются сигналами противоположной полярности, то импульсы помех взаимно компенсируются, что позволяет снизить уровень входных сигналов. [18]
При падении базового тока увеличивается сопротивление транзистора постоянному току ( точки / и 2 на рис. VIII. [19]
![]() |
Зарядное устройство. [20] |
Работа прибора основана на изменении сопротивления транзистора V4 в зависимости от мощности светового импульса. Ток импульсной лампы, протекая через ограничительный резистор R4, создает на нем импульс напряжения. Часть этого напряжения, снимаемого с резистора R3, через диод V2 поступает на конденсатор С2, где переменная составляющая отфильтровывается конденсатором, а постоянная - выделяется на нем. Напряжение с конденсатора С2 подается на затвор транзистора V4, управляя током стока. [21]
При размыкании контактов прерывателя резко повышается сопротивление транзистора и он закрывается, что приводит к уменьшению рабочего тока низкого напряжения. [22]
![]() |
Схемы однотактного динамического л шертора ( а, б и временные. [23] |
В данном динамическом инверторе напряжение U определяется отношением сопротивлений транзистора 7 и последовательно соединенных транзисторов Т2 и Тя. [24]
Возможны два подхода к определению входного и выходного сопротивлений транзистора. Однако такой подход целесообразен только на сравнительно низких частотах, когда на выходные характеристики транзистора в основном влияет ограниченное число элементов эквивалентной схемы и теоретическая модель прибора весьма близка к модели, используемой при расчетах. [25]
![]() |
Схема АРУ транзисторного приемника. [26] |
Расчет АРУ в тргкзисторных приемниках затруднен вследствие зависимости сходного сопротивления транзистора от тока базы. [27]
В кремниевых транзисторах ( где / ко О) сопротивление транзистора ( как это уже отмечено выше) бесконечно велико. [28]
Температурный дрейф обратного тока диодов приводит к такому изменению сопротивления транзистора, что влияние изменения емкости конденсатора С4 оказывается скомпенсированным. Стабильность угла опережения зажигания удается таким образом повысить в 10 раз. [29]
Состояние усилителя при отсутствии входного сигнала называется состоянием покоя, а сопротивление транзистора по входной и выходной цепям соответствует точке покоя входных и выходных вольт-амперных характеристик транзистора. Различают НбСКОЛЬ - ко режимов работы усилительного каскада: А, АВ, В и С. [30]