Cтраница 2
При допадании света сопротивление фоторезистора падает, ток через цепь R6, Ru, R22 возрастает, потенциал базы транзистора Т становится отрицательным по отношению к эмиттеру, транзистор открывается, через резистор Ri течет ток эмиттера, поднимая отрицательный потенциал на эмиттере Т провода схемы. [16]
Темновые токи и сопротивления фоторезисторов принято определять через 30 сек после затемнения - фоторезнсторов, предварительно находившихся под освещенностью 200 лк. Необходимость измерений через 30 сек обусловлена наличием инерционности у фоторезисторов - темновой ток, а следовательно, и темновое сопротивление в силу инерционности устанавливаются не сразу после прекращения освещения. Например, у фоторезисторов ФСК-1 отношение темновых токов, измеренных после затемнения через 30 сек и через 16 ч, может достигать трех порядков. Однако такое изменение может быть несущественным для практики, так как темновые токи очень малы. [17]
![]() |
Зависимость скорости ультразвука от концентраций Nad, NaOH u NaC103. [18] |
В этом случае сопротивление фоторезистора изменится, появится сигнал разбаланса, который после усиления приводит во вращение реверсивный двигатель, перемещающий фоторезистор до тех пор, пока измерительный мост не будет приведен в уравновешенное состояние. Линейное перемещение фоторезистора пропорционально коэффициенту преломления. [19]
![]() |
Принцип устройства фотогальванометрического измерительного усилителя. [20] |
Как известно, сопротивление дифференциального фоторезистора зависит от его освещенности, которая в свою очередь зависит от угла поворота зеркальца. Очевидно, что для некоторого положения подвижной части гальванометра сопротивления обеих секций дифференциального фоторезистора ДФР окажутся равными. В этом состоянии ток в цепи между точками 1 и 2 отсутствует. По этой причине в цепи между точками 1 и 2 появится ток / вы, который в общем случае зависит от угла поворота подвижной части гальванометра. При соответствующем подборе элементов схемы выходной ток / выт / вх, что позволяет использовать это устройство в качестве усилителя тока. [21]
Полученные зависимости изменения сопротивления фоторезисторов вычислены в предположении, что сопротивление фото-резистора после его мгновенного освещения или затемнения изменяется экспоненциально. Однако, как указывалось выше, сопротивление изменяется по более сложному закону и поэтому вычисленные зависимости определяют изменение сопротивления фоторезистора приближенно. Ниже будет показано, что, пользуясь этими графиками, можно приближенно определить форму импульса фототока по заданной форме светового импульса. [22]
![]() |
Электронное бесконтактное фотореле для управления электрическим освещением.| Фотореле для контроля размера диаметра детали. [23] |
По мере роста освещенности сопротивление фоторезистора падает, на базовом электроде VI возникает отрицательное напряжение, переводящее транзистор в режим насыщения; второй транзистор запирается, реле отпускает свой якорь и выключает светильники. [24]
Световое сопротивление Rc - сопротивление фоторезистора, измеренное через определенный интервал времени после начала воздействия излучения, создающего на нем освещенность заданного значения. [25]
![]() |
Характеристика фоторезистора.| Температурная зависимость сопротивления фоторезистора. [26] |
При малых значениях освещенности сопротивление фоторезистора сильно зависит от температуры. [27]
Совершенно очевидно, что сопротивление фоторезистора также не зависит от полярности приложенного к нему постоянного напряжения. Поэтому вольт-амперные характеристики фоторезисторов строят обычнотолько для одного какого-либо направления напряжения и тока, принятого за положительное ( фиг. [28]
![]() |
Сигнализатор для квартиры. [29] |
Если при увеличении интенсивности освещения сопротивление фоторезистора уменьшается, то частота генерируемого таймером звукового сигнала будет возрастать. Сопротивления резисторов R1 и Rt целесообразно выбрать такими, чтобы при максимальной интенсивности света наибольшая частота звукового сигнала на выходе была меньше 20 кГц, т.е. fmaxl 44l [ ( Rt 2Ri 2Rt min) Ct ] 20 Гц, где ф тш - сопротивление фоторезистора при наибольшей интенсивности света в помещении. [30]