Сопротивление - фоторезистор
Cтраница 3
При отсутствии внешнего светового сигнала сопротивление фоторезистора ФР ( рис. 26) практически равно темновому значению, ток в цепи коллектора транзистора Т незначительный и динистор Д1, включенный в цепь коллектора, заперт. [31]
Большинство экспонометров основано на изменении сопротивления фоторезистора в зависимости от освещенности. Фоторезистор включают в цепь постоянного тока, что приводит к изменению тока в ней при освещении фоторезистора. Обычно с целью увеличения чувствительности фотометра фоторезистор включают в одно из плеч мостовой схемы. [32]
В § 6 была рассмотрена зависимость сопротивления фоторезистора от относительной величины затемнения его светочувствительной поверхности. Эта зависимость была рассмотрена в предположении, что фронт тени неподвижен. Если фронт тени перемещается, то сопротивление фотоэлемента зависит не только от относительной величины затемнения, но также от скорости движения фронта тени. Последнее объясняется инерционностью фоторезисторов. [33]
Изменение освещенности в помещении вызывает изменение сопротивления фоторезистора и, следовательно, напряжения на управляющей сетке триода. Внутреннее сопротивление лампы изменяется, что приводит к изменению напряжения на управляющем электроде кинескопа и к изменению яркости изображения. [34]
 |
Схема конструкции и электрическая принципиальная схема бесконтактного датчика перемещения. [35] |
При уменьшении освещенности до 3 1 лк сопротивление фоторезистора увеличивается, в результате происходит опрокидывание ( переключение) триггера, транзистор VT1 закрывается, а транзистор VT2 открывается - исполнительное реле К1 срабатывает и замыкает свои контакты. [36]
 |
Электрическая принципиальная схема фотореле. [37] |
При увеличении освещенности до 6 1 лк сопротивление фоторезистора уменьшается и происходит обратное опрокидывание триггерной схемы - транзистор VT1 открывается, транзистор VT2 закрывается, исполнительное реле размыкает свои контакты. [38]
Принцип действия ПСПБ-ДПИД-ВЗГ основан на изменении величины сопротивления фоторезистора датчика при воздействии на него инфракрасных лучей пламени и увеличении потенциала усилителя ПСПБ, что приводит к срабатыванию исполнительного реле и включению цепи установки пожаротушения. [39]
Рассмотрим, как влияет расположение освещенного участка на сопротивление фоторезистора в предположении, что не происходит диффузии носителей тока из освещенной области в затемненную. [40]
Диапазон изменения сопротивления фоторезисторов весьма велик, например сопротивление фоторезистора ФСК-0, устанавливаемого в приборах, при изменении освещенности от 0 до 200 люкс изменяется в 100 раз. [41]
При изменении облучения фотоприемного элемента происходит либо изменение сопротивления фоторезистора, либо изменение обратного тока фотодиода, либо появление фото - ЭДС при работе фотодиода в режиме фотоэлемента, либо усиление фототока в фототранзисторе, либо переключение из закрытого состояния в открытое фототиристора или однопереходного фототранзистора. Следует отметить универсальность однопереходного фототранзистора в качестве фотоприемного элемента оптопар. Он может быть использован на выходе оптопары как фоторезистор, фотодиод, фотоэлемент и, конечно, как переключающийся прибор - одно-переходный фототранзистор. [42]
Принцип действия установки ПСПБ-ДПИД основан на изменении величины сопротивления фоторезистора при воздействии на него инфракрасными лучами пламени очага пожара. [43]
Кратность изменения сопротивления - отношение темнового сопротивления к сопротивлению фоторезистора при освещенности 200 лк - также характеризует чувствительность фоторезистора. В подобных условиях требуется наибольший перепад сопротивления фоторезистора при попадании на него излучения. [44]
При уменьшении светового или инфракрасного потока от излучающего элемента сопротивление фоторезистора увеличивается за счет уменьшения генерации свободных носителей заряда, что приводит к снижению электрической проводимости полупроводниковой области фоторезистора. Напротив, при увеличении излучения сопротивление фоторезистора уменьшается, причем иногда в тысячи раз, за счет роста числа свободных носителей заряда. Таким образом, проводимость фоторезистора практически пропорциональна силе света излучателя. [45]
Страницы: 1 2 3 4