Объемное сопротивление - коллектор
Cтраница 1
Внутреннее объемное сопротивление коллектора и эмиттера, повышая VCE, способствует уменьшению Да. В германиевых транзисторах этот эффект обычно незначителен и Может быть снижен еще более при работе на низких уровнях тока. [1]
На объемном сопротивлении коллектора при прохождении тока создается падение напряжения, направленное так, что оно открывает коллекторный переход. Поэтому напряжение на внешнем выводе коллектора, соответствующее выходу транзистора из режима насыщения, возрастает. [2]
На объемном сопротивлении коллектора при прохождении тока создается падение напряжения, направленное так, что оно открывает коллекторный переход. Из-за этого напряжение на внешнем выводе коллектора, соответствующее выходу транзистора из режима насыщения, возрастает. [3]
При работе на высоких частотах в ряде случаев приходится учитывать объемное сопротивление коллектора г, которое характеризует падение напряжения в полупроводниковом материале коллекторной области. [4]
 |
Структура эпитаксиального ( а и пленарного ( б транзисторов. [5] |
Одним из недостатков сплавных, диффузионных и выращенных транзисторов является сравнительно большое объемное сопротивление коллектора гкк, ухудшающее работу транзистора, особенно в импульсных схемах. [6]
При определении температуры коллекторного перехода по напряжению эмиттер - база исключается влияние объемного сопротивления коллектора. [7]
На это напряжение влияют соотношение падений напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах, объемное сопротивление коллектора и сопротивление базы. [8]
На его величину влияют соотношение падений напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах, объемное сопротивление коллектора и сопротивление базы. [9]
На его величину влияют соотношение падений напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах, объемное сопротивление коллектора и сопротивление базы. [10]
В режимах с большими плотностями коллекторного тока, а также в СВЧ диапазоне на рабочие характеристики транзистора может ощутимо влиять объемное сопротивление коллектора гк. [11]
Транзистор должен иметь следующие параметры: коэффициент усиления по току в схеме с общей базой на низкой частоте, а0, около 0 97; / г около 600 Мгц, малую величину емкости коллекторного перехода ( Ск1 пф), малое объемное сопротивление коллектора ( IK 20 ом) и объемное сопротивление эмиттера гэ менее 5 ом. [12]
Наиболее трудоемким по числу технологических операций ( до 150) является изготовление биполярных транзисторов. В законченном виде один из интегральных транзисторов и-р-я-типа, сформированных в низкоомном кристалле с дырочной электропроводностью, представлен на рис. 5.3. На вертикальном разрезе его структуры ( рис. 5.3 а) глубиной 25 - 30 мкм последовательно располагаются: сильнолегированная пластина ( так называемый скрытый слой) для снижения объемного сопротивления коллектора, эпитаксиаль-ная пленка собственно коллектора и две диффузионные области - базыр-ти-па и эмиттера я - типа. [13]
Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 4.29, б, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. Часть этой емкости С к 6ар создает обратную связь, а часть емкости коллектора С к, бар соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из-за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скэ, СЭ6, Скб, а также объемное сопротивление коллектора. [15]
Страницы: 1 2