Объемное сопротивление - коллектор
Cтраница 2
 |
Зависимости параметров эквивалентной схемы транзистора от постоянного тока эмиттера ( а и от постоянного напряжения на коллекторе ( б. [16] |
Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 4.29, б, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. Часть этой емкости Скбар создает обратную связь, а часть емкости коллектора С бар, соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из-за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скэ, Сэб, Ск6, а также объемное сопротивление коллектора. [17]
 |
Полные эквивалентные схемы транзисторов. [18] |
Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 2.30 6, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. Часть этой емкости Скбар создает обратную связь, а часть емкости коллектора Скоар, соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из-за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скз, Сэб, Ск6, а также объемное сопротивление коллектора. [19]
 |
Зависимости параметров эквивалентной схемы транзистора от постоянного тока эмиттера ( а и от постоянного напряжения на коллекторе ( б. [20] |
Для дрейфового транзистора со структурой, показанной на рис. 4.29, б, эквивалентная схема несколько другая. Барьерная емкость коллектора в данном случае перезаряжается через разные сопротивления. C 6ap, соответствующая периферической базе, не дает обратной связи. Кроме того, из за высоких рабочих частот, на которых работают дрейфовые транзисторы, в эквивалентной схеме целесообразно учитывать емкости между внешними выводами Скэ, С9б, Ск6, а также объемное сопротивление коллектора. [21]
Страницы: 1 2