Динамическое сопротивление

Cтраница 1

Мощности потерь диода в открытом состоянии [ IMAGE ] Предельные токи диода в зависимости от 0К при различных значениях теплового сопротивления в, С / Вт.| Предельные токи диода в зависимости от а. [1]

Динамическое сопротивление и пороговое напряжение прибора предельной прямой вольт-амперной характеристики являются расчетными величинами, используемыми при определении предельных токов полупроводниковых диодов. [2]

Динамическое сопротивление зависит от типа стабилитрона и лежит в пределах от долей ома до сотен ом. [3]

Динамическое сопротивление г3 транзистора типа П15 в соответствии с рис. 1 - 39 составляет при температуре 20 С примерно 10 ком, а при 60 С - 1 ком. [4]

Динамическое сопротивление численно равно тангенсу угла ( i ( рис. 2 - 17, а) наклона касательной к в.а.х. в рабочей точке и характеризует поведение НС при достаточно малых отклонениях от предшествующего состояния. [5]

Динамическое сопротивление - отношение изменения напряжения на стабилитроне к изменению тока, проходящего через стабилитрон в режиме стабилизации. [6]

Вольт амперная характеристика кремниевого стабилитрона. [7]

Динамическое сопротивление находится в предела от единиц до нескольких десятков ом. [8]

Характер изменения температурного коэффициента напряжения стабилизации и динамического сопротивления в зависимости от величины напряжения стабилизации. [9]

Динамическое сопротивление характеризует изменение стабилизированного напряжения при изменении тока через диод. [10]

Динамическое сопротивление их мало, и поэтому RBX ТУ / гпэ. Рабочий ток стабилитрона обычно значительно больше требуемого тока базы, следовательно, токовая компенсация за счет R - э не может быть отключена. [11]

Динамическое сопротивление выеокоомнопо угольного микрофона должно составить 200 ом 30 % при токе питания 35 ма. [12]

Динамическое сопротивление зависит от типа стабилитрона и лежит в пределах от сотен ом до 1 МОм для газоразрядных стабилитронов и от долей ома до сотен ом - для полупроводниковых. [13]

Динамическое сопротивление зависит от типа стабилитрона и лежит в пределах от сотен ом до одного мегома для газоразрядных стабилитронов и от долей ома до сотен ом для полупроводниковых. [14]

Динамическое сопротивление сдвигу, или предел текучести т0 характеризует собой сопротивление, оказываемое наличием структурности при движении глинистого раствора. Это сопротивление при значительных градиентах скорости постоянно и становится переменным только при очень малых градиентах скорости, что в большинстве случаев несущественно. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5