Динамическое сопротивление

Cтраница 2

Динамическое сопротивление в данной точке вольтамперной характеристики может быть определено по тангенсу угла наклона касательной к вольтамперной характеристике. [16]

Динамическое сопротивление для сравниваемых напряжении ( включая момент равенства) составляет 1 - 2 Мом при Rl - 5 - ИО Мом. [17]

Динамическое сопротивление объясняет, как для фиксированного напряжения на базе, напряжение на эмиттере будет изменяться в зависимости от изменения тока на эмиттере. [18]

Динамическое сопротивление характеризует наклон прямой ветви в. [19]

Динамическое сопротивление в данной точке вольт-амперной характеристики может быть определено по тангенсу угла наклона касательной к вольт-ампер ной характеристике. [20]

Динамическое сопротивление объясняет, как для фиксированного напряжения на базе, напряжение на эмиттере будет изменяться в зависимости от изменения тока на эмиттере. [21]

Динамическое сопротивление определяется по наклону вольтамперной характеристики в точке, соответствующей току стабилизации 5 ма. [22]

Вольтамперные характеристики нелинейных элементов электрической цепи. а - симметричного. б - несимметричного. [23]

Динамическое сопротивление иногда называют сопротивлением переменному току, а статическое - сопротивлением постоянному току. [24]

Динамическое сопротивление Rt в точке т пропорционально тангенсу угла а на рис. Г-3, в и является отрицательной величиной. [25]

Динамическое сопротивление гд зависит как от напряжения стабилизации КС, так и от тока, протекающего через стабилитрон. [26]

Динамическое сопротивление сдвига т0 тоже обычно умень -, шается с повышением1 температуры; однако полной закономерности здесь не наблюдается. Иногда отмечается снова небольшое увеличение t0 при температуре 60 - 80 С. [27]

Динамическое сопротивление магнетрона характеризует изменение тока при небольших изменениях анодного напряжения. [28]

Динамическое сопротивление транзисторного ключа в открытом состоянии при / 6 1 ма составляет rol 11 5 ом, динамическое сопротивление закрытого транзистора при однопол ярном управлении г3 / 10 ком, а при двухполярном ( Е3 2 в) - порядка гз1 2 Мом. Величина сопротивления R этой схемы выбрана в соответствии с ( 3 - 75) и при л 0 5 равна 150 ом. Для сравнения величину нулевого уровня определим для двух частот коммутации / 0 50 гц и / 0 1000 гц. [29]

Вольт-амперная характеристика и условное обозначение кремниевого стабилитрона ( а. ( б - та же характеристика в других координатах. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5