Изготовление - фотошаблон
Cтраница 4
Процесс устанавливает порядок операций по изготовлению пресенсибилизированного фотошаблона, закрепляемого нагреванием или химическим путем. [46]
За счет большого уменьшения при изготовлении фотошаблона с фотооригинала первоначальные ошибки выполнения фотооригинала уменьшаются и влияния на точность микросхемы не оказывают. Для изготовления фотошаблонов должна применяться высокоразрешающая оптика, не вносящая искажений в процессе уменьшения фотооригийала. [47]
Для качественного проведения процессов фотолитографии и изготовления фотошаблонов необходимы особо чистые производственные условия. Поэтому все процессы проводят в специальных скафандрах, в которые подаются осушенные и обеспыленные газы. [48]
 |
Пример расположения помещений участка для изготовления эмульсионных фотошаблонов. [49] |
При планировании участка или цеха для изготовления фотошаблонов необходимо учитывать последовательность расположения рабочих помещений. [50]
 |
Принципиальная электрическая схема, предназначенная для инте-прального исполнения.| Компоновочный эскиз полупроводниковой интегральной схемы.| Чертеж структуры кристалла. [51] |
Кроме общего топологического чертежа, для изготовления фотошаблонов должны быть составлены чертежи отдельных слоев: базового, эмиттерного, металлизации, окон под контакты и рези-стивного. [52]
Подготовка конструкторской документации ( КД) для изготовления фотошаблонов - простая, но трудоемкая задача и часто служит источником ошибок. Для проверки правильности координат масок рекомендуется обратное восстановление топологической схемы. Конструктивный расчет пассивных компонентов обычно не представляет трудностей. Работа по данному этапу заканчивается созданием комплекта КД для изготовления фотошаблонов. [53]
При описании процессов разработки топологии ИС и изготовления фотошаблонов мы исходили из того, что полупроводниковая подложка уже имеется. [54]
Казалось бы, что осуществлением одноступенчатого техпроцесса изготовления фотошаблонов является применение усовершенствованных генераторов изображения. [55]
 |
Схема расположения. [56] |
Подобные микроскопы хорошо зарекомендовали себя в практике изготовления фотошаблонов. Они применяются как на контрольных участках, так и при проведении промежуточных технологических операций. [57]
Для сокращения технологического цикла применяется фотонаборная техника изготовления фотошаблона. При этом получается сразу промежуточный фотошаблон повышенной точности. [58]
 |
Диффузионные резисторы полупроводниковых ИС.| Топологические схемы диффузионных резисторов. [59] |
Отклонения от номинального значения обусловливается реализуемой точностью изготовления фотошаблона, выполнения операций вскрытия окна в слое двуокиси кремния и процессами диффузии. Для увеличения процента выхода годных ИС используются схемные решения, в которых параметры ИС зависят не от абсолютных значений полученных резисторов, а от их отношений. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5