Малое прямое сопротивление

Cтраница 1

Устройство р-п перехода точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных мезадиодов ( г и планарных ( д импульсных диодов. 1 - р-п переход. 2 - кристалл. 3 - омический контакт. [1]

Малое прямое сопротивление и небольшая емкость барьера Шоттки позволяет диодам работать на сверхвысоких частотах. Типичный диапазон рабочих частот составляет 5 - 250 ГГц, а время переключения - менее 0 1 не. Обратные токи диодов Шоттки малы и составляют несколько микроампер. [2]

Благодаря малому прямому сопротивлению и тому, что излучение фотонов происходит в результате рекомбинации носителей зарядов, скорость изменения светового потока весьма высока: постоянная времени светодиодов составляет 10 - 10 9 с. Это позволяет применять светодиоды в быстродействующих схемах для управления с помощью светового потока. [3]

Установлено, что технологически наиболее трудно обеспечить малое прямое сопротивление гд при малой величине емкости р-п перехода С. На высоких частотах прямое сопротивление определяется сопротивлением г объема полупроводника ( базы диода) [1], и с целью уменьшения сопротивления база делается по возможности тоньше. [4]

Полупроводниковый диод, в отличие от кенотрона, имеет малое прямое сопротивление, например 10 Ом, вместо 200 - 300 Ом. [5]

При положительной полярности напряжения на входе ограничителя диод имеет малое прямое сопротивление. [6]

Выделение синхроимпульсов, отличающихся от измерительных по длительности. а - схема. б - временные диаграммы. [7]

Диоды, используемые в ключевых схемах, должны иметь большое обратное сопротивление, малое прямое сопротивление, стабильную характеристику при изменении внешних условий и малую емкость. Этим условиям удовлетворяют в лучшей степени вакуумные и кремниевые плоскостные диоды. [8]

Схема логического элемента ИЛИ. [9]

Если хотя бы на один из входов подан нулевой потенциал, то вследствие малого прямого сопротивления диода сигнал на выходе схемы будет отсутствовать. [10]

Чаще всего в мостовой трехфазной схеме применяют ионные и полупроводниковые вентили, обладающие малым прямым сопротивлением. [11]

Схема диодного демодулятора. [12]

В это время точки а и б схемы ( см. рис. 3.44) связаны малым прямым сопротивлением диодов, напряжение между ними близко к нулю. [13]

Полная и упрощенные эквивалентные схемы полупроводникового диода.| Влияние температуры на вольт-амперную характеристику диода. [14]

Диффузионная емкость значительно больше барьерной, но использовать ее не удается, так как она зашунтирована малым прямым сопротивлением самого диода. [15]

Страницы: 1 2 3