Cтраница 3
Если ошибка за счет утечки в переключателе не должна превышать 0 1 %, то развязка должна быть не ниже 63 дб. В переключателе применены точечные германиевые диоды 1N270, обладающие малым прямым сопротивлением, высоким обратным сопротивлением и достаточно малым временем переключения ( около 20 нсек), что позволяет получить прямоугольную вырезку, если ее длительность не меньше 100 нсек. [31]
Схема рис. 3.30, а практически лишена этого недостатка. Здесь вместо резистора R используется диод Д2, для которого характерно наличие напряжения отсечки U0 и малое прямое сопротивление; по виду вольт-амперной характеристики такого диода ( рис. 3.30, б) можно сделать вывод, что напряжение на нем мало зависит от тока. [32]
Выбираем схемы включения транзисторов, используемых в качестве диодов в цепи обратной связи и в цепи смещения. Диод в цепи обратной связи должен обладать возможно меньшим временем рассасывания, низким напряжением отпирания и малым прямым сопротивлением. [33]
![]() |
Эквивалентные схемы вентиля. [34] |
Поэтому при расчете схемы задаются допустимой длительностью переднего фронта выходного сигнала Тф, так как этот фронт значительно превышает длительность спада тс. Последнее объясняется тем, что при запирании диодов разряд емкости С происходит через резистор Rtl, а заряд ее, после снятия входного напряжения, через малое прямое сопротивление диода. Следовательно, разряд емкости занимает больше времени, что сказывается на длительности переднего фронта импульса. [35]
Поэтому при расчете схемы задаются допустимой длительностью переднего фронта выходного сигнала Тф, так как этот фронт значительно превышает длительность спада тс. Последнее объясняется тем, что при запирании диодов разряд емкости Сн происходит через резистор RH, а заряд ее ( после снятия входного напряжения) через малое прямое сопротивление диода. Следовательно, разряд емкости занимает больше времени, что сказывается на длительности переднего фронта импульса. В этом случае длительность тс выходного сигнала в основном определяется временем спада входного ( внутреннее сопротивление источника входных сигналов значительно меньше У. [36]
![]() |
Характеристика стабилитрона ( опорного диода. [37] |
В схемах диодных ограничителей используют плоскостные и точечные полупроводниковые диоды. Плоскостные диоды имеют малое прямое сопротивление ( единицы и десятки ом) и большое обратное ( до единиц мегом); в точечных диодах прямое сопротивление в 2 - 3 раза больше. [38]
На измеряемый диод ИД в прямом направлении подаются прямоугольные импульсы от генератора импульсов тока ГИТ. Генератор представляет собой источник импульсного напряжения с очень большим внутренним сопротивлением. Поэтому, несмотря на малое прямое сопротивление диода, ток через диод не превышает допустимого значения. [39]
Недостатком схемы является увеличение числа вентилей в два раза. Кроме того, при использовании электронных и ионных вентилей с катодами прямого накала здесь нужно иметь минимум четыре изолированных источника накала вместо одного в схеме с нулевым выводом. Чаше всего в мостовой трахфазной схеме применяют ионные вентили и полупроводниковые диоды, обладающие малым прямым сопротивлением. [40]
Следовательно, диод смещения должен обладать большим напряжением отпирания, чем диод в цепи обратной связи. Чтобы не происходило заметного уменьшения управляющего тока / упр, отбираемого от источника входных импульсов, желательно выбирать диод смещения с малым прямым сопротивлением. [41]
Для компенсации асимметричных нелинейных искажений используется регулятор линейности строк 3L3 типа РЛС-90-ЛЦ2. Для предотвращения выхода из строя выходной лампы при отказе задающего генератора строчной развертки применена схема защиты. С начала работы задающего генератора схема защиты автоматически отключается, так как на диоды ЗД8, ЗД9 подается положительное напряжение через 1R12, которое отпирает их, и вывод 3 резистора 1R12 оказывается заземленным через малое прямое сопротивление открытых диодов. [42]
Быстродействие диодно-резистивных схем ИЛИ, так же как и схем И, определяется скоростью переключения выходного напряжения. Расчет этих схем производится аналогично расчету схем совпадения. Однако в этом случае требование к времени переключения схемы определяется не фронтом ( как в схеме И), а спадом импульса ( тс), так как при снятии входного напряжения начинается заряд емкости через резистор RnMl. Фронт же импульса определяется в основном фронтом входного сигнала, так как разряд емкости происходит через малое прямое сопротивление диода при возрастании до нуля напряжения на соответствующем входе. [43]
Быстродействие диодно-резистивных схем ИЛИ, так же как и схем И, определяется скоростью переключения выходного напряжения. Расчет этих схем производится аналогично расчету схем совпадения. Однако в этом случае требование к времени переключения схемы определяется не фронтом ( как в схеме И), а спадом импульса ( тс) так как при снятии входного напряжения начинается заряд емкости через резистор Ram. Фронт же импульса определяется в основном фронтом входного сигнала, так как разряд емкости происходит через малое прямое сопротивление диода при возрастании до нуля напряжения на соответствующем входе. [44]