Тепловое контактное сопротивление

Cтраница 2

Для уменьшения влияния воздушной прослойки и, следовательно, уменьшения теплового контактного сопротивления контактные поверхности необходимо смазывать специальными маслами. [17]

Зависимость температуры корпуса. [18]

Рассмотренные методы заполнения контактной зоны хотя и дают возможность существенно снизить тепловое контактное сопротивление, однако они значительно трудоемки. [19]

Рассмотрен метод снижения температуры полупроводниковых приборов, установленных на теплоотвод, за счет уменьшения теплового контактного сопротивления между корпусом полупроводникового прибора и теплоотводом с помощью специально разработанной теплопроводной пасты КПТ-8. Показано, что применение пасты КШТ-8 дает уменьшение контактного теплового сопротивления не менее чем в 2 раза. [20]

Таким образом, температура р-п перехода полупроводникового прибора при определенной мощности рассеяния зависит от величины теплового контактного сопротивления между фланцем полупроводникового прибора и пластиной теплоотвода. [21]

Заполнение контактной зоны расплавленным оловом дает хорошие результаты уже при нагрузках до 200 кг / см2, снижая величину теплового контактного сопротивления в 10 - 14 раз. [22]

Эффективность теплоотвода при использовании радиаторов во многом зависит от качества теплового контакта между прибором и радиатором, который характеризуется тепловым контактным сопротивлением. Это сопротивление образуется за счет воздушной прослойки между соприкасающимися поверхностями, которая создается вследствие наличия неровностей на поверхности основания прибора и радиатора. Величина неровностей у наиболее гладких соприкасающихся поверхностей достигает 0 01 - 5 - 0 1 мкм и более. [23]

Более эффективным способом является, использование в качестве связующего вещества эпоксидной смолы, которая после затвердевания образует плотную прослойку, снижающую величину теплового контактного сопротивления в 10 - 15 раз. [24]

Схема аэродинамической трубы для исследования. [25]

Требуется рассчитать конструкцию теплоотвода при одностороннем оребрении для обеспечения режимов работы транзистора П217, рассеивающего мощность 10 вт при допустимой температуре р-п перехода 85 С, температуре окружающей среды 40 С и скорости набегающего воздушного потока вдоль ребер 1 5 м / сек; транзистор крепится на гладкой поверхности теплоотвода; тепловое сопротивление переход - корпус 2 С / вт, тепловое контактное сопротивление 1 С / ег. [26]

Однако всегда между полупроводниковыми приборами и охлаждающим устройством существует контактное тепловое сопротивление, которое уменьшает эффективность теплопередачи. Тепловое контактное сопротивление представляет существенный резерв, за счет которого можно улучшить тепловой режим работы полупроводникового прибора, тем самым повысив надежность его, или же получить возможность уменьшения габаритов радиатора при сохранении заданных величин перегрева полупроводникового прибора. [27]

Данные по максимально допустимой температуре коллекторного перехода и тепловому сопротивлению между переходом и корпусом берутся из справочника или технических условий на транзистор. Тепловое контактное сопротивление определяется обычно экспериментальным путем и лежит в пределах 0 1 - т - 1 0 С / вт, в зависимости от чистоты обработки поверхности, наличия смазок, прокладок и величины усилия, прижимающего полупроводниковый прибор к теплоотводу. [28]

Зависимость максимальной мощности, рассеиваемой транзистором П216, от площади теплоотвода и температуры окружающей среды. [29]

При конструировании схем целесообразно предусматривать ( с точки зрения теплового режима) возможность установки полупроводникового прибора в схему с заземленным коллектором. В этом случае величина теплового контактного сопротивления будет наименьшая, учитывая, что в общем случае электроизоляция полупроводникового прибора от теплоотвода увеличивает тепловое сопротивление на 0 5 - 1 С / вт. [30]

Страницы: 1 2 3