Отрицательное сопротивление - диод
Cтраница 1
 |
Статическая характеристика туннельного диода.| Однопереходный транзистор, а - устройство. б - обозначение. 8 - статическая характеристика. [1] |
Отрицательное сопротивление диода составляет несколько десятков ом. [2]
 |
Резонансный усилитель на [ IMAGE ] Одно звено искусственной ли-туннельном диоде, нии с туннельным диодом. [3] |
Недостатком усилителей, использующих отрицательное сопротивление диода для компенсации потерь в нагрузке и в сопротивлении генератора, является неустойчивость всех параметров усилителя. В самом деле, усиление становится значительным лишь при приближении к режиму генерации. [4]
 |
Работа туннельного диода в импульсном режиме.| Вольт-амперная характеристика и условное графическое изображение обращенного диода. [5] |
Я должно быть несколько больше абсолютного значения отрицательного сопротивления диода. На рис. 8 - 5 показан импульсный режим работы туннельного диода. Ток уменьшается до минимального значения / min, что условно можно считать закрытым состоянием диода. А если установить постоянное напряжение Е, соответствующее точке Б, то можно переводить диод в точку А подачей импульсов напряжения отрицательной полярности. [6]
По-видимому, нарастание пика при динамическом пробое вызвано реакцией генератора на отрицательное сопротивление диода в интервале спада тока. При перебросе рабочей точки диода через область ДВХ, разделяющую различные режимы, скачком изменяется показание стрелочного прибора, контролирующего выходной уровень генератора возбуждающего сигнала. Это наблюдается и в моделях, и в реальных умножителях. Динамический пробой создает более глубокий провал импульса ( ср. Он вызван не только спадом напряжения затухающего колебательного цикла, а также и тем, что при нарастании этого пика до определенной величины диод переходит в состояние проводимости. При этом в диоде возникает бросок тока 3 ( см. рис. 26) за счет энергии, запасенной в индуктивности входной ( или холостой) цепи. [7]
 |
Вольтамперная характеристика туннельного диода. [8] |
Генератор получается путем соединения туннельного диода с колебательным контуром ( или другой колебательной системой); отрицательное сопротивление диода компенсирует сопротивление потерь контура, и в нем возбуждаются незатухающие колебания. [9]
Параметр диода / п / / в в интервале напряжений t / n, Ua косвенно определяет отрицательное сопротивление диода и характеризует отдаваемую прибором мощность. [10]
 |
Характерные конструкции СВЧ-полупроводниковых приборов и их присоединение к микросхеме. [11] |
Принцип действия таких устройств основан на компенсации сопротивления потерь колебательной системы ( с учетом вносимых нагрузкой) отрицательным сопротивлением диода. При полной компенсации в системе устанавливаются автоколебания, а при частичной происходит регенеративное усиление внешних колебаний. [12]
По вольт-амперной характеристике ( см. рис. 3.23) можно определить параметры диода: токи / тах и 1т - т и соответствующие им напряжения t / j и Uz, а также величину отрицательного сопротивления диода в любой точке падающего участка. [13]
Благодаря действию отрицательного сопротивления диода в нагрузку вносится дополнительная мощность. Эффект усиления количественно оценивается так называемым коэффициентом вносимого усиления по мощности / Cpeat который равен отношению мощностей на нагрузке при включенном и выключенном ( закороченном) туннельном диоде. [14]
 |
Усилитель на туннельном. [15] |
Страницы: 1 2