Отрицательное сопротивление - диод
Cтраница 2
Рабочая точка О на характеристике задается напряжением источника Е ( рис, 211, 6), Обычно это напряжение составляет 100 - 150 мв. Сопротивление R выбирают немного меньше отрицательного сопротивления диода. [16]
 |
Явление автомодуляции и прерывистой генерации. [17] |
Вследствие узости перехода ( - 10 - 6 см) носители преодолевают его за время порядка 10 - 13 сек, поэтому их инерционные свойства практически не влияют на работу генераторов на волнах вплоть до миллиметрового диапазона. Ограничения по частоте определяются здесь емкостью р-п перехода, шунтирующей отрицательное сопротивление диода, и индуктивностью его выводов. [18]
Представляет интерес проследить поведение схемы, если туннельный диод выполнен с последовательным резонансным контуром, учитывая вместе с тем, что это связано с трудностями питания схемы. В этом случае возникли бы колебания, при которых среднее значение отрицательного сопротивления диода гд возрастает. [19]
Существенным преимуществом туннельных диодов является слабая зависимость тензочувствительности и сопротивления от температуры. Тензочувствительность можно повысить, шунтируя диод положительным сопротивлением, значение которого близко в величине отрицательного сопротивления диода. Это позволяет получить т к 30 000, но за счет ухудшения линейности и температурной стабильности. [20]
Существенным преимуществом туннельных диодов является слабая зависимость тензочувствительности и сопротивления от температуры. Тензочувствительность можно повысить, шунтируя диод положительным сопротивлением, значение которого близко к величине отрицательного сопротивления диода. Это позволяет получить / ( - 30000, но за счет ухудшения линейности и температурной стабильности. Величины измеряемых давлений и чувствительность к давлению в рабочем интервале температур легко регулируются путем изменения величины шунтирующего сопротивления и тока через диод. [21]
 |
Вольт-амперная характеристика туннельного диода. [22] |
Использование туннельного диода в этих областях основано на особенностях его вольт-амперной характеристики, а именно, на существовании падающего участка ( часть кривой, обозначенная на рис. 12.7 цифрой 3), соответствующего отрицательному сопротивлению диода. [23]
 |
Деформационные характеристики кремниевых тензорезисторов с проводимостью р - и п-типа. [24] |
Принцип действия тензодиода основан на изменении высоты потенциального барьера в р-и-переходе при деформации полупроводника. В качестве тензодиодов могут быть использованы туннельные диоды, динамическое сопротивление которых зависит от степени деформации и мало зависит от температурных изменений. При шунтировании туннельного диода сопротивлением, величина которого соизмерима с отрицательным сопротивлением диода, можно получить величину К. [25]
Наличие отрицательной проводимости у туннельного диода указывает на возможность использования этого прибора для генерирования и усиления колебаний, преобразования сигналов и переключения. На рис. 3.29, а показана схема включения туннельного диода как усилителя, а на рис. 3.29, б - характеристика, поясняющая принцип ее работы. Заметим, что если сопротивление нагрузки R имеет большую величину, чем отрицательное сопротивление диода, то рассмотренная схема превращается из усилительной в ключевую, так как точки устойчивого равновесия А и Б у нее будут находиться на пересечении характеристики нагрузки с восходящими ветвями характеристики диода, а точка 0 является точкой неустойчивого равновесия. [26]
Схема генератора с отрицательным сопротивлением, выполненная на туннельном диоде, показана на рис. П-16. Так как в определенном диапазоне напряжений ( на падающем участке характеристики) диод обладает отрицательным сопротивлением, то при подключении к диоду колебательного контура L1 - C1 положительное сопротивление потерь в этом контуре будет компенсировано отрицательным сопротивлением диода и в контуре возбудятся незатухающие колебания. Практически диод следует подключать не ко всему контуру, а лишь к части контурной катушки, как показано на рис. П-16. Это объясняется тем, что сопротивление потерь реального контура значительно превышает сопротивление диода. [27]
Пока напряжение на диоде больше, чем пороговое, начинает образовываться домен сильного электрического поля. Если частота, на которую настроен резонатор, достаточно велика, то домен, не успев сформироваться, начнет рассасываться, поскольку rip истечении времени t суммарное напряжение на диоде в течение f будет меньше порогового. Таким образом, при изменении напряжения резонатора в цепи существуют периодические колебания тока сложной формы. При малых напряжениях смещения Е0 и небольшой амплитуде Ег амплитуда тока через диод будет невелика. Исходными для возникновения колебаний могут служить энергии гармоник ганновских колебаний более низких частот, возникающих в момент включения, или отрицательное сопротивление диода, образующееся при формировании домена. [28]
Страницы: 1 2