Дифференциальное сопротивление - переход
Cтраница 1
Дифференциальные сопротивления переходов г и г почти не зависят от приложенного напряжения, однако имеют гиперболическую зависимость от рабочего тока. [1]
 |
Туннельный диод. [2] |
В дифференциальное сопротивление перехода становится отрицательным. Эквивалентная схема такого перехода приведена на рис. 5 - 6 - 1 г. Полупроводниковые приборы, использующие рассмотренную характеристику, называются туннельными диодами. Выходная мощность туннельных диодов очень мала и находится в пределах сотен микроватт, но по сравнению с обычными транзисторами они имеют необычайно высокую предельную частоту использования, достигающую 10000 МГц. В будущем предполагают их использовать в качестве элементов электронных схем и в логических элементах сверхбыстродействующих электронных вычислительных машин. [3]
Расчеты показывают, что дифференциальные сопротивления переходов в режиме насыщения обычно лежат в пределах нескольких ом. Такое же и даже меньшее значение имеет омическое сопротивление гээ. [4]
С ростом прямого тока дифференциальное сопротивление перехода быстро падает. При токах порядка 5 - 10 ма оно составляет величину несколько ом. Дифференциальное сопротивление перехода в обратном направлении значительно больше, чем в прямом. При - U обр фт его можно считать бесконечно большим. [5]
Расчеты показывают, что дифференциальные сопротивления переходов в режиме насыщения обычно лежат в пределах нескольких ом. Такую же и даже меньшую величину имеют омические сопротивления гээ и гкк, за исключением случаев, оговоренных выше. [6]
ВАХ стабилитрона, меньше которого увеличивается дифференциальное сопротивление перехода, пробой становится неустойчивым и резко возрастают микро-плазменные шумы прибора ( см. гл. [7]
F, намного меньше, чем низкочастотное дифференциальное сопротивление перехода, которое равно kQ / q ( ID Is) - Это эффективное последовательное сопротивление описывает тот релаксационный механизм, за счет которого сохраняется статистическое равновесие при переходе носителей через обедненный слой. Оно мало настолько, что при расчете полного сопротивления им обычно пренебрегают. [8]
В роли проводимости g выступает величина, обратная дифференциальному сопротивлению р-п перехода ( 2 - 51), принимающая отрицательное значение при прямом напряжении, изменяющемся от t / n до t / в. Емкость при прямых токах / / п является барьерной, и лишь при / / п к ней добавляется диффузионная емкость. [9]
К физическим параметрам помимо рассмотренного выше коэффициента передачи тока относят дифференциальные сопротивления переходов, объемные сопротивления областей, коэффициент обратной связи по напряжению, емкости переходов и др. Эти параметры характеризуют основные физические процессы в транзисторе. Кроме того, как будет показано далее, системы других параметров транзистора тесным образом связаны с физическими параметрами. Эта связь позволяет при анализе работы транзистора в той или иной схеме основываться на физических явлениях в приборе и, таким образом, грамотно решать задачи о рациональном построении радиоэлектронных устройств. [10]
С повышением температуры напряжения ивэ почти линейно уменьшается, а дифференциальное сопротивление перехода база - эмиттер падает. [11]
Это делается для того, чтобы ток / 1 определялся только дифференциальным сопротивлением перехода. [12]
 |
Зависимость минимальной. длительности запирающего импульса от тока анода при различных значениях напряжения анодного питания ( сплошные линии соответствуют прибору № 1, пунктирные - прибору № 2. [13] |
Неодномерные явления при запирании обусловлены лоперечным сопротивлением р-базы 1, 55 ], которое существенно превышает дифференциальные сопротивления переходов / 3 и / г, смещенных в прямом направлении током анода. [14]
Проведен сравнительный анализ условий существования колебательного процесса для нескольких вариантов схем преобразователя, отличающихся способом подачи отпирающего смещения, с учетом влияния начального тока коллекторного перехода транзистора / кво и за-висимости дифференциального сопротивления эмиттер-ного перехода г3 от эмиттерного тока и температуры. Рассмотрен механизм возникновения прерывистой генерации в преобразователе. Приведены экспериментальные данные, соответствующие различным температурам окружающей среды. [15]
Страницы: 1 2