Дифференциальное сопротивление - переход
Cтраница 2
 |
Конструкции туннельных диодов. [16] |
Как показано на рис. 13.5. На этой схеме: С - емкость р-п перехода; rf - омическое сопротивление потерь; Ls - собственная индуктивность корпуса; Ск - емкость корпуса; R - дифференциальное сопротивление р-п перехода. [17]
Эквивалентная схема для малых сигналов приведена на рис. 3.20. На эквивалентной схеме резистор гд ф учитывает дифференциальное сопротивление перехода диода, конденсатор Спер - емкость перехода, резистор rs - омическое сопротивление потерь ( г5 гэ ГБ), а элементы 1Л и Скорп - собственную индуктивность и емкость корпуса диода. Сопротивление потерь rs зависит от объемного сопротивления р - и п-облас-тей. [18]
С ростом прямого тока дифференциальное сопротивление перехода быстро падает. При токах порядка 5 - 10 ма оно составляет величину несколько ом. Дифференциальное сопротивление перехода в обратном направлении значительно больше, чем в прямом. При - U обр фт его можно считать бесконечно большим. [19]
Настоящее второе издание отличается от первого тем, что за счет второстепенного материала внесены дополнения и уточнения, облегчающие чтение учебника, а также проведена большая редакционная обработка материала. Переработаны § 2 - 3 Вольт-амперная характеристика р-тг-перехода, § 3 - 3 Импульсные диоды, § 4 - 1 Основные процессы в плоскостном бездрейфовом транзисторе. Коэффициент передачи тока эмиттера, § 4 - 2 Дифференциальные сопротивления переходов и емкости транзистора, § 4 - 5 Зависимость параметров транзистора от режима работы, температуры и частоты, § 4 - 10 Шумы транзистора § 9 - 3 Работа однокаскадного усилителя с ДС-связью при усилении гармонических сигналов, § 9 - 9 Коррекция характеристик усилителя с - RC-связью, § 11 - 1 Усилители с трансформаторной связью на транзисторах, § 12 - 5 Двухтактные выходные каскады класса В, § 17 - 2 Внутренняя обратная связь и ее нейтрализация и § 17 - 5 Генераторы LC на транзисторах. [20]
 |
Схемы замещений систем уравнений четырехполюсника.| Транзистор в схеме с общей базой и его схема замещения. [21] |
Примером физической эквивалентной схемы биполярного транзистора может служить схема, показанная на рис. 12 - 8, а. Эта схема, как отмечалось в § 12 - 4, может характеризовать работу транзистора в любом из четырех режимов его включения. Так, для транзистора, работающего в активном режиме в области низких частот, эта схема принимает вид, показанный на рис. 16 - 10, аи б - в случаях включения транзистора с общей базой и общим эмиттером соответственно. В об - ЛЗСТИ ВЫСОКИХ Частот В Схему Следует ВКЛЮЧИТЬ емкости переходов, дифференциальные сопротивления переходов, а также эквивалентные генераторы, отображающие обратную связь по напряжению. [22]
Страницы: 1 2