Дифференциальное сопротивление - коллекторный переход
Cтраница 1
 |
Физическая эквивалентная схема транзистора.| Физическая эквивалентная схема транзистора с ОЭ. [1] |
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rK dUKldfK - UKl IK при / э const определяется приращением тока коллектора, вызванного изменением коллекторного напряжения при постоянном токе эмиттера. Как уже отмечалось, это приращение возникает в основном из-за меняющейся ширины базы. [2]
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода гк выше ( составляет величину несколько мегом), а барьерная емкость коллекторного перехода Ск. Так как ширина коллекторного перехода при изменении напряжения коллектора меняется несильно, то емкость Ск. [3]
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода германиевых транзисторов в интервале температур от - 60 до 20 С монотонно возрастает в связи с увеличением времени жизни носителей и уменьшением рекомбинационной составляющей тока базы. [4]
Уменьшение дифференциального сопротивления коллекторного перехода объясняется тем, что ток коллектора в схеме с ОЭ изменяется сильнее, чем в схеме с ОБ, при одном и том же изменении напряжения на коллекторном переходе. Аналогично можно установить соотношение между С. [5]
Уменьшение дифференциального сопротивления коллекторного перехода объясняется тем, что ток коллектора в схеме ОЭ изменяется сильнее, чем в схеме ОБ при одном и том же изменении напряжения на коллекторном переходе, как указывалось выше. [6]
Таким образом, дифференциальное сопротивление коллекторного перехода в схеме ОБ значительно выше, чем в схеме ОЭ. Значение гк практически не изменяется с ростом температуры. [7]
Выходное сопротивление триода очень близко к гк - дифференциальному сопротивлению коллекторного перехода в обратном направлении. [8]
Пример такой схемы приведен на рис. 6.32. Здесь в цепь истока включен биполярный транзистор Га, дифференциальное сопротивление коллекторного перехода г к которого создает нагрузку для переменного тока. [9]
 |
Схема каскада ОЭ. [10] |
В / мА; гк rE / ( I h2 ] 3) и rK duK5 / diK - дифференциальные сопротивления коллекторных переходов в схеме с общим эмиттером и с общей базой, определяемые из справочника. [11]
Гб - омическое сопротивление базы, гэ - иЭб / Ля-0 025 / / э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, В / мА; rK rK / ( l - ( - / Z2ia) и гк duK6 / diK - дифференциальные сопротивления коллекторных переходов в схеме с общим эмиттером и с общей базой, определяемые из справочника. [12]
 |
Схема каскада 05. [13] |
Гб - омическое сопротивление базы, значение которого составляет 100 - 150 Ом; гэймЭбА & э - 0 025 / / э - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, В / мА; гк гк / ( 1 Л21э) и rK duKQ / diK - дифференциальные сопротивления коллекторных переходов в схеме с общим эмиттером и с общей базой, определяемые из справочника. [14]
Выходные характеристики в схеме с общим эмиттером ( ОЭ) в диапазоне малых напряжений t / кэ для транзисторов без скрытого слоя ( /) и со скрытым слоем ( 2) приведены на рис. 3.2. Видно, что скрытый слой влияет на форму выходной характеристики только в режиме насыщения ( РН), где дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, смещенного в прямом направлении, невелико. Напряжение насыщения при заданном коллекторном токе насыщения / кнас изменяется пропорционально объемному сопротивлению коллекторной области. [15]
Страницы: 1 2