Дифференциальное сопротивление - коллекторный переход
Cтраница 2
В активном режиме токи коллектора и эмиттера ( см. рис. 4.1) почти одинаковы, а их разность равна току базы. Коллекторный ток практически не зависит от напряжения на коллекторном переходе, поскольку при любом обратном напряжении все электроны, достигающие в базе коллекторного перехода, попадают в его ускоряющее поле и уносятся в коллектор. Поэтому дифференциальное сопротивление коллекторного перехода гк d ( 7Kr / rf / K очень велико, что характерно для р-л-переходов, включенных в обратном направлении. [16]
В УГТ импульсы ФТ превращаются в такие же по длительности прямоугольные импульсы тока, но имеющие одинаковую и стабильную амплитуду. Выполнен УГТ в виде токостабилизи-рующего элемента, в качестве которого использован кремниевый транзистор, включенный по схеме с общей базой. Выходное сопротивление определяется дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода этого транзистора и составляет сотни килоом. [17]
 |
Элементы усилителей постоянного тока. [18] |
Транзисторы для получения малых токов базы должны работать в режиме микротоков и обеспечивать при этом высокий коэффициент усиления каскада. В эмиттере должен быть задан весьма стабильный ток с помощью высокоомного источника. Питание каскада должно осуществляться от двух источников питания с различной полярностью для того, чтобы потенциал баз транзисторов мог быть нулевым относительно общей шины. Как видно из приведенного выше, для реализации описанной схемы необходимо наличие стабильного генератора тока и высо-коомных сопротивлений. Трудность изготовления высокоомных сопротивлений в интегральном исполнении ( они занимают большую площадь и мало стабильны) приводит к необходимости использования динамических нагрузок, выполненных на транзисторах. Они при весьма малом падении постоянного напряжения на них обладают сопротивлениями, величина которых близка к дифференциальному сопротивлению закрытого коллекторного перехода. [19]
Страницы: 1 2