Удельное сопротивление - кристалл
Cтраница 1
Удельное сопротивление кристаллов кремния / z - типа ( около 60 ом см при 300 К; кривая /) и германия - типа ( около 20 ом см при 300 К; кривая 2) в зависимости от величины, обратной температуре. [1]
 |
График зависимости удельного сопротивления кристалла ADP от температуры.| Спектральная характеристика пропускания кристалла ADP. [2] |
Удельное сопротивление кристалла ADP резко уменьшается с увеличением температуры ( рис. 16), что необходимо учитывать, если рабочая температура устройства изменяется в широких пределах. Как видно из графика, кристалл непрозрачен для излучения с длиной волны свыше 1 6 мк. [3]
Удельное сопротивление кристаллов сульфида цинка, полученных различными способами, колеблется в пределах 108 - 10й ом-см. Оптическая ширина запрещенной зоны составляет 3 58, а энергия активации, определенная из кривой температурного хода собственной проводимости - 3 67 эв. Эта термическая ширина запрещенной зоны относится к вюртцитной модификации сульфида цинка. Кристаллы ZnS кубической структуры обладают несколько меньшей термической шириной запретной зоны. Таким образом, по проводимости и ширине запрещенной зоны сульфид цинка близок к изоляторам. В то же время сульфид цинка можно отнести к широкозонным полупроводникам, который трудно легировать до нужных значений проводимости п - или уо-типа. [4]
Были проведены измерения удельного сопротивления кристаллов карбида кремния в диапазоне 0 1 - 10 ом см. Поскольку данный метод является относительным, то необходимо прибор градуировать по эталонным образцам, удельное сопротивление которых определялось другими методами, например 4 - или 2-зондовым. [5]
Были проведены измерения удельного сопротивления кристаллов карбида кремния в диапазоне О, 1 - 10 ом см. Поскольку данный метод является относительным, то необходимо прибор градуировать по эталонным образцам, удельное сопротивление которых определялось другими методами, например 4 - или 2-зондовым. [6]
Второй метод предусматривает измерение удельного сопротивления кристаллов любых размеров в том случае, если нельзя нарушать целостность образца, сохранить его размеры и форму. Для этого в качестве базового электрода использовали электроды из жидкого при комнатной температуре сплава Sn Ga, которые можно было легко снимать и вновь наносить без каких-либо повреждений образца. [7]
При диффузионном легировании GaAs литием удельное сопротивление кристалла n - типа возрастает до десятка ом см. В результате термообработки при высоких температурах удельное сопротивление снижается до 0 2 ом см и кристалл становится р-типа. Предполагается, что литий может входить в решетку как по междоузлиям, так и путем замещения атомов галлия. Эти два вида дефектов могут образовать комплекс LijLiQa, обладающий акцепторными свойствами. [8]
Пробивное напряжение диода зависит от ширины р-я-перехода, а ширина p - n - перехода определяется удельным сопротивлением кристалла полупроводника. [9]
Пробивное напряжение диода зависит от ширины р-п-перехода, а ширина p - n - перехода определяется удельным сопротивлением кристалла полупроводника. [10]
В том, что электрическое сопротивление металлов обусловлено взаимодействиями электронов проводимости с различными дефектами решетки, убеждает и тот факт, что удельное сопротивление кристаллов металлов сильно зависит от наличия в них примесей. Например, введение 1 % примеси марганца увеличивает удельное сопротивление меди в три раза. [11]
 |
Тензометры сопротивления. [12] |
Полупроводниковые тензометры изготавливают из кристаллических полупроводниковых материалов - кремния, германия, арсенида галлия и др. В полупроводниковых тензометрах также изменяется сопротивление, но главным образом за счет изменения удельного сопротивления кристалла в зависимости от механического напряжения. [13]
 |
Зонная модель и вольт-амперная характеристика с нагру. [14] |
Туннельные диоды изготавливаются из сильно легированных кристаллов германия, кремния или арсеннда галлия. Удельное сопротивление кристаллов составляет примерно 10 - 3 ом - см. что соответствует, например, концентрации атомов примеси ( As) порядка 2 1019 см-3 в отличие от концентрации 10й - 1018 атомов As на 1 см3 в нормально легированных кристаллах. [15]
Страницы: 1 2