Cтраница 2
Микроструктура таких варисторов содержит кристаллы ZnO размером 5 - 10 мкм, окруженные диэлектрической прослойкой толщиной около 0 1 мкм. Удельное сопротивление кристаллов ZnO составляет 0 1 - 1 0 Ом-см, межкристаллитной прослойки - около 1013 Ом-см при диэлектрической проницаемости еи ( 700 - ь - 4 - 1500) во. [16]
В кристалле кремния массой 120 г равномерно по объему распределены 25 7 миг фосфора и 38 2 мкг галлия. Считая, что атомы примеси полностью ионизированы, вычислить удельное сопротивление кристалла. [17]
Карбид кремния не разлагается под действием кислот, за исключением фосфорной и смеси азотной и плавиковой, но легко разлагается под действием расплавленных щелочей, железа, меди. Сера и водяной пар разлагают карбид кремния при температурах свыше 1000 С. На воздухе медленное окисление начинается с 870 С; при повышении температуры скорость окисления возрастает. По электрическим свойствам карбид кремния относится к полупроводникам. Удельное электрическое сопротивление внутри кристаллов SiC лежит в пределах от 1 до до 10 ом-см, суммарное удельное сопротивление кристаллов, с учетом сопротивления поверхностного слоя имеет нелинейный характер: при больших плотностях тока ( около 103 а / см2) суммарное удельное сопротивление составляет около 10 ом-см, при малых плотностях тока ( порядка 10 - 6 а / см2) оно возрастает до 106 ом-см и более. [18]