Удельное сопротивление - исходный материал
Cтраница 1
Удельное сопротивление исходного материала выбирают, исходя из требований к электрическим параметрам изготавливаемых приборов. Материал с р2 ом - см используют для изготовления импульсных приборов, а с р3 - 4 ом-см - для изготовления высоковольтных транзисторов. [1]
Уменьшение удельного сопротивления исходного материала нецелесообразно, поскольку оно ведет к снижению величины пробивного напряжения и увеличению емкости коллекторного перехода. [2]
 |
Основные электрические параметры варикапов Д901А - Д901Е. [3] |
Подбирая величину удельного сопротивления исходного материала и получая возможно более тонкую базу и постоянную площадь р-п перехода, удается получить весь комплекс требуемых параметров. [4]
Максимальная величина напряжения включения прибора зависит от удельного сопротивления исходного материала и от технологических факторов. Получаемые значения напряжения включения близки к величине напряжения пробоя, которое можно ожидать у простого электронно-дырочного перехода, изготовленного из такого же материала. [6]
Решение задачи заключается [1] в выборе минимальной величины удельного сопротивления исходного материала, которая может обеспечить необходимое пробивное напряжение. [7]
Раньше разработчику проиходилось идти на компромисс при выборе удельного сопротивления исходного материала, так как, с одной стороны, большему р соответствовали большее пробивное напряжение и меньшая емкость, а с другой, - значительные потери мощности. Теперь, применяя эпитаксиальное выращивание, можно существенно увеличивать удельное сопротивление эпитак-сиального слоя и тем самым иметь запас по напряжению и емкости, не боясь слишком резкого увеличения паразитных потерь. В настоящее время большинство пленарных транзисторов изготавливается с применением метода эпитаксиального выращивания. [8]
Численное значение напряжения при электрическом пробое в объеме зависит от удельного сопротивления исходного материала и концентрации в нем примесных атомов и неоднородностей. [9]
Очень часто повышение температуры ( приводящее к большей поверхностной растворимости) компенсируется понижением удельного сопротивления исходного материала. Как уже упоминалось, сначала в полупроводник вводят менее подвижную примесь. Поэтому нагрев при втором цикле диффузии обычно не следует учитывать при учете распределения первой примеси. Определяя при помощи пробных экспериментов расположение электронно-дырочных переходов и их свойства, можно установить технологический режим, обеспечивающий заданные характеристики триодных структур. После этого для получения повторяющихся результатов необходимо лишь контролировать в необходимых пределах параметры процесса и не вносить в полупроводник загрязнений. [10]
 |
Зависимость величины добротности варикапа от температуры. Значение добротности при t 25 С принято за 100 %. [11] |
Величина добротности варикапа не может быть сколь-угодно большой. Сопротивление базы зависит от удельного сопротивления исходного материала р, толщины базы w и площади р-п перехода. Величинар определена заданным рабочим напряжением, а площадь р-п перехода ограничена требуемым значением номинальной емкости. Таким образом, единственным способом повышения добротности при заданных рабочем напряжении и номинальной емкости является уменьшение толщины базы. [12]
С, коэффициенты усиления по току транзистора BCI h2 e имеют 10 распределения, близкие к нормальному. Эти параметры зависят от удельного сопротивления исходного материала, геометрических размеров структуры и ряда других факторов, достаточно хорошо контролируемых в ходе технологического процесса производства. [13]
Характер электрического пробоя определяется свойствами электронно-дырочного перехода. Значение пробивного напряжения определяется удельным сопротивлением исходного материала; оно обычно ниже теоретического из-за наличия дефектов в исходном материале и явления поверхностного пробоя. [14]
Неосновные носители, возникающие в точках, удаленных от области объемного заряда, на величину, превышающую L, рекомбинируют раньше, чем они попадут в поле области объемного заряда. Величина то ка насыщения определяется в основном удельным сопротивлением исходного материала. С увеличением удельного сопротивления материала ток насыщения возрастает. Это объясняется тем, что с увеличением удельного сопротивления уменьшается концентрация основных носителей и увеличивается концентрация неосновных носителей, обусловливающих появление тока насыщения. У германия, например, при увеличении температуры на 10 С ток насыщения возрастает в два раза. Если к р - п переходу подключить напряжение такой полярности, что положительный полюс источника напряжения окажется приложенным к / 7-области, а отрицательный - к м-обла-сти ( рис. 30, б), внешнее поле источника будет направлено навстречу полю запорного слоя; концентрация дырок в приграничном слое р-области и электронов в приграничном слое / г-области увеличится, что в свою очередь вызовет уменьшение потенциального барьера и сужение запорного слоя. [15]
Страницы: 1 2