Cтраница 2
На рис. 185, а показан резистор, полученный диффузией сурьмы в кремний с проводимостью р-типа. В результате диффузии образуется тонкий слой с низким удельным сопротивлением с проводимостью n - типа. Отношение удельного сопротивления исходного материала к удельному сопротивлению полученного слоя оказывается больше 100, поэтому образованием узкой канавки можно изолировать один полупроводниковый резистор этого типа от другого. [16]
Принято считать, что коэффициент ионизации а; аехр ( - Ь / Е), где а и Ъ - постоянные н Е - электрическое поле. Тем не менее с ростом удельного сопротивления материала ( или с уменьшением градиента распределения примесей) ширина области пространственного заряда возрастает и поэтому несколько уменьшается критическое значение электрического поля. В результате рост пробивного напряжения с увеличением удельного сопротивления исходного материала ( или с уменьшением градиента распределения примесей вблизи перехода) ослабляется. [17]
Значения напряжения включения у приборов разных конструкций заметно отличаются друг от друга. В обра: зце варианта а электронно-дырочный переход Nв - РВ находится между областями со сравнительно большой и неравномерно ( распределенной по толщине концентрацией примеси. Таким образом, напряжение включения приборов варианта а не зависит от удельного сопротивления исходного материала до тех пор, пока последнее велико ло сравнению с удельным сопротивлением области Рв - Однако в приборах, выполненных по вариантам б или в, этот электронно-дырочный переход расположен между областью NВ, полученной методом диффузии примеси, и областью Рв, образованной исходным материалом. [18]
Действительно, все активные области транзистора расположены в слое 5 - 10 мкм от поверхности. Но по соображениям механической прочности невозможно работать с кристаллами тоньше 100 мкм. Поэтому сопротивление толщи кремния, превышающее 5 - 10 мкм, является паразитным. Выбор величины удельного сопротивления исходного материала основывается на достижении требуемой величины пробивного напряжения, а также допустимой емкости коллекторного перехода. [19]
Слитки монокристаллов кремния нарезают на плоские заготовки алмазными пилами. Каждая заготовка имеет, как правило, значительно большую площадь, чем это необходимо для изготовления одного прибора. После проведения диффузии и нанесения металлических электродов заготовку разрезают на отдельные пластинки. Однако удельное сопротивление необходимо принимать во внимание при выборе режима диффузии, так как глубина залегания перехода уменьшается со снижением удельного сопротивления исходного материала. [20]