Удельное сопротивление - пленка
Cтраница 1
Удельное сопротивление пленки с течением времени изменяется и стремится к устойчивому значению, причем этот процесс протекает быстрее в случае пленок, приготовленных путем термической возгонки. Это изменение или постепенная стабилизация сопротивления ускоряется при повышении температуры. [1]
Удельное сопротивление пленки, полученной путем катодного распыления, для данного металла с данной поверхностной массой у разных авторов получается совершенно различным. [2]
Удельное сопротивление пленок висмута зависит от условий их осаждения. Так, пленки, осажденные на нагретые до 120 - 140 стеклянные пластинки, имели более низкое удельное сопротивление и более высокий температурный коэфициент электросопротивления, чем пленки, осажденные на нагретые или охлажденные пластинки, а также обнаруживали более резкое изменение электросопротивления при изменении магнитного поля, Б котором измерялось электросопротивление. [3]
Удельное сопротивление пленок выше удельного сопротивления массивного металла и особенно сильно возрастает, когда толщина пленки становится очень малой. [4]
Если удельное сопротивление пленки остается неизменным в течение осаждения, то толщину пленки d можно непрерывно контролировать по ее сопротивлению. [5]
Зависимость удельного сопротивления пленок MoSi2 и CrSi2 от толщины приведена на рис. 6 - 29 а. [6]
Значения удельного сопротивления пленок, полученных разными способами, значительно различаются между собой. Основное влияние на величину удельного сопротивления оказывает чистота проведения процесса наращивания. [7]
 |
Зависимость сопротивления от температуры прерывистых пленок трех различных металлов. [8] |
Были исследованы удельное сопротивление пленок, температурный коэффициент сопротивления и зависимость сопротивления от поля. [9]
При увеличении температуры подложки удельное сопротивление пленок, как правило, возрастает, что связывается с уменьшением содержания в них металлического компонента. Однако эта зависимость справедлива в достаточно узком интервале температур. На основании детального исследования пленок CdS, CdSe, изготовленных методом открытого соиспарения CdS и S, CdSe и Se, получены зависимости удельного сопротивления и эффективной подвижности от температуры подложки. При дальнейшем увеличении Гп удельное сопротивление падает. В связи с тем, что основным механизмом рассеяния в пленках является рассеяние на межкристаллических барьерах, можно ожидать увеличения хЭф с ростом температуры подложки, приводящим к резкому уменьшению плотности фигур роста. [10]
Влияние поверхностного рассеяния на удельное сопротивление пленок впервые было количественно рассмотрено Фуксом [32]; в дальнейшем теория была усовершенствована и обобщена на случай пленки в магнитном поле Зондхеймером [33] и авторами. [11]
Влияние поверхностного рассеяния на удельное сопротивление пленок впервые было количественно рассмотрено Фуксом [32]; в дальнейшем теория была усовершенствована и обобщена на случай пленки в магнитном поле Зондхеймером [33] и авторами. [12]
Ом / П ( удельное сопротивление пленки, отнесенное к квадрату ее поверхности), используемое при расчете геометрических размеров пленочных резисторов, остается достаточно постоянным. [13]
По оси ординат отложено удельное сопротивление пленки на квадрат площади при толщине 100 мк, по оси абсцисс - процент изоляционной суспензии по отношению к смеси суспензий. [14]
 |
Характер изменения.| Характер изменения. [15] |
Страницы: 1 2 3 4