Поверхностное удельное сопротивление

Cтраница 1

Поверхностное удельное сопротивление QS является важнейшим параметром, характеризующим проводящие свойства пленочных резисторов и не зависящим от размеров квадрата. [1]

На градиент поверхностного удельного сопротивления также оказывают влияние всякого рода микро - и макронеоднородности. К ним можно отнести неодинаковую степень обработки и очистки поверхности подложки, наличие ( при масочной технологии) выполненных по определенному рисунку слоев различных материалов и пр. Влияние этих факторов на градиентную погрешность определяется известной зависимостью коэффициента аккомодации потока от скорости нанесения, температуры подложки и состояния приемной поверхности. [2]

Для получения резистивных пленок с поверхностным удельным сопротивлением 1 кОм / Q и более используют керметы, являющиеся частным случаем микрокомпозиций. В их состав входят благородный или тугоплавкий металл и диэлектрик. Высокая надежность таких резисторов обеспечивается особенностями структуры сплава, представляющего собой отдельные гранулы металла, находящиеся в аморфной массе диэлектрика. Проводимость в такой структуре осуществляется при высокой концентрации металла за счет контакта металлических гранул, а при большом содержании диэлектрика - за счет смешанного механизма проводимости, включающую металлическую проводимость, туннели-рование электронов через тонкие диэлектрические барьеры и термоэмиссию. [3]

Контроль процесса диффузии осуществляется путем измерения поверхностного удельного сопротивления и глубины залегания перехода. Удельное сопротивление измеряют с помощью четырехточечного зонда. Через два внешних зонда пропускают ток от 1 до 0 5 мА, а между двумя внутренними зондами замеряют разность потенциалов. [4]

Схема подачи газа при использовании фосфина, арсина или диборана в качестве источника диффузанта. [5]

Взаимосвязь между глубиной р-п перехода, поверхностным удельным сопротивлением, с одной стороны, и технологическими факторами - с другой, различна для разных источников примеси. [6]

Стекла с низкой гидролитической стойкостью обладают малым поверхностным удельным сопротивлением в условиях влажной среды. Наивысшей гидролитической стойкостью обладает кварцевое стекло; гидролитическая стойкость сильно уменьшается при введении в стекло щелочных окислов. [7]

Стекла с низкой гидролитической стойкостью обладают малым поверхностным удельным сопротивлением в условиях влажной среды. Наивысшей гидролитической стойкостью обладает кварцевое стекло, гидролитическая стойкость сильно уменьшается при введении в стекло щелочных окислов. [8]

Тонкопленочиый резистор. [9]

Это позволяет ввести понятие о рп - поверхностном удельном сопротивлении резистивной пленки, величина которого определяется только удельным сопротивлением материала резистивной пленки и его толщиной и численно равна сопротивлению резистора квадратной формы с произвольным размером сторон. [10]

При изготовлении пленочных резисторов используются резистивные материалы с различным поверхностным удельным сопротивлением. [11]

Диэлектрические свойства материала определяются диэлектрической прочностью в 20 в / мкм, поверхностным удельным сопротивлением в 1012 ом и объемным удельным сопротивлением 101в ом. Химическая стойкость материала по отношению к разбавленным кислотам и всем щелочным растворам довольно хорошая. Окисляющие вещества постепенно разрушают его. Устойчивость в органических растворителях ограничивается температурами не выше 32 С. [12]

Важнейшими свойствами электроизоляционных материалов являются: коэффициент рассеяния; тангенс угла диэлектрических потерь ( tg б); электрическая прочность; объемное удельное сопротивление; поверхностное удельное сопротивление; диэлектрическая проницаемость. [13]

Зависимость разности скоростей нанесения двух металлических пленок от времени. [14]

Напряженность поля, очевидно, будет различна на разных участках подложки, и там, где она больше, скорость роста пленки возрастет, тем самым увеличится неравномерность поверхностного удельного сопротивления по подложке по сравнению с образцами, изготовленными в отсутствии поля. [15]

Страницы: 1 2