Паразитное сопротивление

Cтраница 3

Основная погрешность при использовании мостовых схем включает в себя составляющие: погрешность значений параметров образцовых элементов моста; погрешность, обусловленная неточностью балансировки моста, определяется чувствительностью моста; погрешность, обусловленная паразитным сопротивлением, емкостью и индуктивностью соединительных проводов и переходных сопротивлений контактов, а также паразитными связями между элементами моста. [31]

В данной модели при соответствующем определении параметров учитываются практически все известные физические эффекты в работе МДП-транзистора: зависимость подвижности носителей в канале от напряженности электрического поля, влияние потенциала подложки, конечность выходного сопротивления в области насыщения, паразитные сопротивления истока и стока. Эта модель справедлива также и при инверсном режиме работы МДП-транзистора, когда исток и сток меняются местами. Следует отметить, что в выражения для указанных параметров моделей МДП-транзисторов входят внутренние параметры структуры прибора такие как длина и ширина канала, подвижность носителей, удельная емкость диэлектрика под затвором, концентрация примеси, толщина диэлектрика. [32]

Сопротивления всех подводящих проводов и переключателей в этой схеме расположены или в ветви источника питающего напряжения ( а г, Ь, Рп), или в последовательном соединении с мостовыми сопротивлениями Si, S2, Ui и U2 ( а п, Ь, с, d, Pr2) достаточно большими, чтобы по отношению к ним можно было пренебречь влиянием паразитных сопротивлений. [33]

Следовательно, происходит запаздывание выключения. Конечные паразитные сопротивления различных областей и контактов полупроводникового прибора, а также емкость, обусловленная накоплением заряда ( неосновных носителей), и емкости р - - переходов ограничивают быстродействие прибора временем RC. Емкость, обусловленную накоплением заряда ( заряд инжектированных носителей компенсируется дополнительными основными носителями), можно рассчитать, взяв отношение приращения накопленного в области заряда к приращению напряжения, приложенного к переходу ( или к области), которое вызывает такое же изменение заряда. Как легко видеть, емкость переходной области или области барьера вызывается изменением заряда ( главным образом объемного) с наружных сторон переходной области при повышении напряжения на переходе ( см. фиг. [34]

Паразитная связь через.| Ложный запуск импульсных устройств по цепи питания. [35]

Но в данный момент работают У2 и УЗ, на плате расположенные рядом с У1, Уп. УЗ создают на паразитных сопротивлениях падение напряжения, которое является помехой для устройства Уп. Если помеха больше порога срабатывания У, последнее может запуститься ложно. [36]

Общая точность и надежность тензометрических измерений определяются не только качеством примененных тензометров и свойствами аппаратуры, но и рядом внешних факторов, действующих при каждом измерении совместно. Решающую роль играют при этом паразитные сопротивления проводников, переключателей и зажимов, а также и распределенные емкости подводящих проводов. [37]

Тепловой шум, аналогичный тепловым шумам сопротивлений. Источником шума является сопротивление канала и паразитные сопротивления истока и стока. [38]

Схемы импульсных модуляторов с емкостным накопителем ( с замыканием ключа и с чисто омическим зарядным сопротивлением. [39]

В емкостной схеме, так же как и в индуктивной, имеется расхождение между расчетной и реальной мощностями. Это расхождение объясняется главным образом влиянием паразитных сопротивлений в цепи нагрузки и в особенности влиянием паразитных индуктивностей. [40]

Значение характеристического сопротивления измеряемого четырехполюсника и его зависимость от частоты в общем случае неизвестны. Оно содержит реактивные составляющие, обусловленные влиянием паразитных сопротивлений, величина которых имеет случайный характер и не может быть рассчитана, и поэтому определяется с помощью дополнительных измерений. Проведение этих измерений усложняет определение собственного затухания, которое и без того затруднено из-за необходимости согласованного включения четырехполюсника. [41]

Данное выражение справедливо для у укр, где укр - так называемый критический коэффициент заполнения, при превышении которого регулировочная характеристика стабилизатора приобретает падающий характер. Это происходит потому, что падение напряжения на паразитном сопротивлении г уже не может быть скомпенсировано нарастанием тока в индуктивности. [42]

Схема измерения электропроводности. [43]

Измерение тока является относительным измерением. Ток, текущий через образец, измеряется на фоне тока, проходящего через параллельное паразитное сопротивление. Относительный характер становится особенно очевидным для органических веществ в твердом состоянии. Параллельное паразитное сопротивление может легко достигать того же порядка, что и измеряемое, и приходится затрачивать много усилий на уменьшение параллельного тока до величины гораздо меньшей, чем измеряемый ток. Именно поэтому здесь будут рассмотрены некоторые детали этого вопроса. Встречающиеся высокие значения полного сопротивления требуют обсуждения, которое не относится к рассматриваемому вопросу и поэтому будет кратким. Например, большие сопротивления строго ограничивают измерения при использовании переменного тока. [44]

По Достижении равновесия обоих мостов точки end приобретают потенциал земли без непосредственного подключения земли к какой-либо из этих точек, в результате чего выполняется предположенное вначале условие о равенстве потенциалов точек с и d потенциалу земли. Таким образом, в результате осуществления так называемого двойного моста представляется возможным устранить влияние паразитных сопротивлений, сведенных к узловым точкам основного моста. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5