Паразитное сопротивление

Cтраница 4

Af-образная и S-образная характеристики с отрицательными сопротивлениями.| Эквивалентная схема туннельного диода. [46]

Левая часть эквивалентной схемы содержит элементы собственно диода, а правая часть - элементы, появляющиеся ори включении туннельного диода во внешнюю цепь. Rn - отрицательное сопротивление, определяющееся наклоном вольтамперной характеристики в рабочей точке; R0 - паразитное сопротивление, включающее в себя сопротивления растекания, контактов и вводов; L0 - индуктивность вводов. Рабочая точка должна обязательно быть на участке отрицательного сопротивления. Рассматриваемая схема справедлива только для этого случая. [47]

Величины характеристических сопротивлений измеряемого четырехполюсника и их зависимость от частоты в общем случае неизвестны. Они определяются с помощью дополнительных измерений, так как содержат реактивные составляющие, обусловленные влиянием паразитных сопротивлений, величина которых имеет случайный характер и не может быть рассчитана. Необходимость проведения этих измерений усложняет определение собственного затухания, которое и без того выполнять трудно вследствие необходимости согласованного включения четырехполюсника. [48]

Кратко изложены результаты линейной теории преобразования частоты. Проведено уточнение этой теории, учитывающее искажение формы напряжения гетеродина на запирающем слое, которое вызывается действием последовательного паразитного сопротивления. Предложена новая эквивалентная схема контакта на высоком уровне мощности гетеродина. [49]

Примерно аналогичное положение создается и в случае применения приборов с несимметричным, незаземленным входным устройством вследствие влияния емкостей относительно окружающих металлических предметов, земли и рук испытателя. Исключением являются приборы, используемые при измерениях в области сравнительно низких частот, когда при незаземленном входном устройстве существующие паразитные сопротивления во много раз превосходят входное сопротивление прибора. [50]

Метод используется как на постоянном токе, так и на переменном в диапазоне частот до нескольких мегагерц. Поскольку внутреннее сопротивление источника е, а также входное и выходное сопротивления усилителя, охваченного глубокой отрицательной обратной связью, малы, паразитные сопротивления Zm мало влияют на результат измерения. Это свойство схемы позволяет измерять проходное полное сопротивление в треугольнике сопротивлений. [51]

Подробное рассмотрение свойств колебательного контура еще предстоит в следующем разделе нашего курса, но и в курсе электродинамики невозможно оставить без внимания этот фундаментальный объект. Его электрическая схема представлена на рис. 8.2. При этом подразумевается, что в сопротивление R включены не только резистивные элементы схемы ( если они вообще существуют), но и паразитное сопротивление катушки индуктивности и соединительных проводов. При последовательном соединении элементов контура такое объединение вполне корректно. [52]

Источниками помех общего вида внутри оборудования каналов передачи сигналов являются прежде всего блоки питания ( их выпрямители, регуляторы, соединительные провода, предназначенные для подвода напряжения сети или вторичных питающих напряжений, для подсоединения корпусов и экранов к общим шинам заземления), а также узлы каналов, содержащие и информационные линии связи и линии передачи командных сигналов. Помехи общего вида проникают также при наличии общих цепей: а) при заземлении канала в нескольких точках, которые не являются эквипотенциальными; б) при использовании общего провода для передачи обратных токов от нескольких источников сигналов; в) при заземлении нескольких устройств через общий проводник, особенно устройств приема сигналов и блоков питания; г) при наличии паразитных сопротивлений утечки между цепью канала передачи сигналов и цепью источника помехи. [53]

На окончательные характеристики аналоговых систем конструктивная реализация оказывает большое существенное влияние, чем при реализации цифровых систем. Возможность получить неработоспособную плату ( успешно прошедшую испытания в прототипной реализации) приводит к необходимости моделирования проектов с учетом эффектов, вносимых конкретной реализацией. При моделировании учитываются паразитные сопротивления, паразитные емкости монтажа. Более мощные САПР учитывают распределенный характер этих паразитных элементов. [54]

Внутрисхемные соединения в МДП-ИМС могут выполняться с помощью металлизации или путем формирования диффузионных областей. Применение диффузионных межсоединений позволяет относительно просто реализовать пересечения проводников в МДП-ИМС и наиболее полно использовать площадь кристалла. При этом следует учитывать влияние паразитных сопротивлений диффузионных межсоединений. При соединении диффузионных областей последовательно с затворами транзисторов наличие паразитных сопротивлений Кд приводит только к задержке управляющих сигналов, поступающих на транзисторы. Поскольку входные сопротивления транзисторов велики ( RB RA), амплитуда сигналов не искажается. В частности, последовательное сопротивление Кд в цепи вызывает уменьшение эффективной крутизны транзистора, что приводит к ухудшению как статических, так и динамических характеристик схемы. [55]

Так как все расчетные уравнения должны удовлетворяться одновременно, проектирование и изготовление параллельной Т - образной цепи должно выполняться точно. Если применяются элементы цепи с низкими допусками, то они должны быть подобраны путем измерений, чтобы обеспечить эффективный нуль. Степень полноты подавления данной частоты зависит от паразитных сопротивлений, индуктивностей и емкостей в элементах цепи. [56]

При необходимости экранировать несколько последовательно включенных элементов или стабилизировать емкость первичного экрана применяется двойное экранирование. Второй экран, как правило, заземляется или присоединяется к корпусу. Применение экранов для элементов мостовых схем позволяет заменить распределенные паразитные связи паразитными сопротивлениями, сосредоточенными в узловых точках. Какой-либо единой, канонической системы экранирования элементов мостовых схем не существует, и вопрос этот решается в каждом отдельном случае в зависимости от ставящихся целей и представляющихся возможностей. [57]

Трудоемкость изготовления ИМС, содержащих диодные или транзисторные структуры, практически одинакова. Поэтому коллекторный или эмиттерный р - л-переходы транзисторных структур часто используются как диоды. На рис. 1.8 одновременно со структурой интегрального транзистора приведена схема эквивалентных диодов вместе с паразитными сопротивлениями. [58]

С помощью формулы ( 9 - 11) определяют произведения CglJ. Rg и Rg -, рассчитывают емкости Cgj и Сф. Чрезмерно большими выбирать сопротивления Rgl и R не следует, так как они могут оказаться соизмеримыми с паразитными сопротивлениями утечек ламп, и стабильность длительности генерируемой импульсов окажется очень низкой. [59]

Измерение тока является относительным измерением. Ток, текущий через образец, измеряется на фоне тока, проходящего через параллельное паразитное сопротивление. Относительный характер становится особенно очевидным для органических веществ в твердом состоянии. Параллельное паразитное сопротивление может легко достигать того же порядка, что и измеряемое, и приходится затрачивать много усилий на уменьшение параллельного тока до величины гораздо меньшей, чем измеряемый ток. Именно поэтому здесь будут рассмотрены некоторые детали этого вопроса. Встречающиеся высокие значения полного сопротивления требуют обсуждения, которое не относится к рассматриваемому вопросу и поэтому будет кратким. Например, большие сопротивления строго ограничивают измерения при использовании переменного тока. [60]

Страницы: 1 2 3 4 5