Малое входное сопротивление - транзистор
Cтраница 1
Малое входное сопротивление транзистора шунтирует выходную цепь предыдущего усилительного каскада, что ухудшает условия его работы, усложняет согласование цепей транзисторного усилителя в целом. [1]
Учитывая малое входное сопротивление транзистора, параллельно ему включили лишь часть катушки настроенного контура, чтобы он не оказался слишком зашунтированным, что снизило бы его избирательность. [3]
Это обусловлено малым входным сопротивлением транзистора, при котором трудно задать фиксированное входное напряжение. [4]
 |
Графоаналитический расчет режима усиления транзистора с помощью выходных. [5] |
Это имеет определенный смысл, так как из-за малого входного сопротивления транзистора UmBX обычно значительно меньше Етт. Соответственно этому изменяется и расчет коэффициента усиления каскада по мощности. [6]
Как изменяются свойства колебательного контура, если к нему подключается сравнительно малое входное сопротивление транзистора. [7]
В такой схеме не требуется нейтрализации емкости первого транзистора, поскольку его нагрузкой является малое входное сопротивление транзистора Т2, включенного по схеме с общей базой. [8]
Резистор 1R48 и конденсатор 1С48 определяют режим работы транзистора по постоянному току и служат для увеличения изменения напряжения на коллекторе транзистора при изменении напряжения АРУ. Для уменьшения влияния малого входного сопротивления транзисторов второго каскада УПЧИ цепь базы транзистора 1Т7 подключается к контуру 1L13 1С41 через конденсатор 1С49 небольшой емкости. [9]
В транзисторных усилителях в отличие от ламповых монтажная емкость значительно меньше. В связи с малым входным сопротивлением транзистора ее влияние на параметры схемы сравнительно невелико. [10]
Для стабилизации низких напряжений, например, питающих полупроводниковые усилители, применяют стабилизаторы с полупроводниковыми элементами. Главной особенностью ее является малое входное сопротивление транзисторов, так как они работают с относительно большим током базы. Это приводит к тому, что кпд полупроводниковых стабилизаторов может быть значительно выше, чем у электронных. [11]
Полученное значение Q3 должно быть практически осуществимым. В транзисторном приемнике контур шунтируется малым входным сопротивлением транзистора, в результате чего собственная ( конструктивная) добротность контура Q уменьшается. Поэтому искомое значение Q3 не должно превышать 0 8Q, а значение конструктивной добротности Q не должно быть больше 100 для длинных и средних волн и 125 для коротких волн. [12]
 |
Схема каскодного уси-пителя на полевых транзисторах. [13] |
Правда, каскады с ОЭ и с ОИ нагружены не на резисторные нагрузки, а на входные сопротивления каскодов с ОБ и с ОЗ. Например, нагрузкой транзисторов VT2 являются крайне малые входные сопротивления транзисторов VT1, так как в первом случае транзистор VT1 включен по схеме с ОБ, а во втором - по схеме с ОЗ. В результате транзисторы VT2 обеих каскодных схем работают в режиме, близком к короткому замыканию, и усиление напряжения в этих каскадах практически отсутствует. [14]
Системы z - и / - параметров часто используются, однако их недостатком является трудность экспериментального измерения параметров. Это обусловлено тем, что вследствие малого входного сопротивления транзистора трудно создать режим короткого замыкания на входе и вследствие большого выходного сопротивления трудно создать режим разомкнутой цепи на выходе. [15]
Страницы: 1 2 3