Малое входное сопротивление - транзистор - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Дипломат - это человек, который посылает тебя к черту, но делает это таким образом, что ты отправляешься туда с чувством глубокого удовлетворения. Законы Мерфи (еще...)

Малое входное сопротивление - транзистор

Cтраница 3


Вследствие большого выходного сопротивления транзистора этот режим легко осуществляется путем включения достаточно большой емкости на выходе. Точно так же требующийся при определении параметров / г) 2 и 1г22 режим холостого хода на входе транзистора для переменной составляющей тока легко осуществим вследствие малого входного сопротивления транзистора и достигается путем включения во входную цепь достаточно большой индуктивности.  [31]

32 Упрощенная схема двух-каскадного усилителя на транзисторах. [32]

Емкость такого конденсатора в ламповом усилителе не превышает обычно 0 01 - 0 025 мкф, в транзисторном же усилителе она должна быть не менее 5 мкф. Объясняется это малым входным сопротивлением транзистора и значительным по сравнению с электронной лампой током во входной цепи. Конденсатор связи С2 оказывает переменному току емкостное сопротивление, которое будет тем меньшим, чем больше его емкость. И если оно окажется больше вхбдного сопротивления транзистора, на нем будет падать большая часть напряжения переменного тока, чем на входном сопротивлении транзистора, отчего будет проигрыш в усилении.  [33]

Расчет барьерной емкости эмиттера имеет некоторые особенности. Прежде всего обязательно надо учитывать контактную разность потенциалов, так как напряжение на эмиттере прямое. Кроме того, в цепи эмиттера часто задается ток ( см. § 4.8), а не напряжение. Это связано с малым входным сопротивлением транзистора.  [34]

Расчет барьерной емкости, эмиттера имеет некоторые особенности. Прежде всего, в этом случае обязательно надо учитывать контактную разность потенциалов, так как напряжение на эмиттере прямое. Кроме того, в цепи эмиттера чаще всего задается ток ( см. § 2.8), а не напряжение. Это связано с малым входным сопротивлением транзистора.  [35]

Расчет барьерной емкости эмиттера имеет некоторые особенности. Прежде всего обязательно надо учитывать контактную разность потенциалов, так как напряжение на эмиттере прямое. Кроме того, в цепи эмиттера часто задается ток ( см. § 4.8), а не напряжение. Это связано с малым входным сопротивлением транзистора.  [36]

Преимущество / г-параметров заключается в легкости их непосредственного измерения. Действительно, для определения параметров / 1ц и / i2i ( необходимо обеспечить режим короткого замыкания на выходе для переменной составляющей напряжения, что соответствует поддержанию постоянного напряжения на коллекторе. Вследствие большого выходного сопротивления транзистора этот режим легко осуществляется включением достаточно большой емкости на выходе. Точно так же требующийся при определении параметров / Z22 и fti2 режим холостого хода на входе транзистора для переменной составляющей тока легко осуществим вследствие малого входного сопротивления транзистора и достигается включени ем во входную цепь достаточно большой индуктивности.  [37]



Страницы:      1    2    3