Последовательное сопротивление

Cтраница 1

Последовательное сопротивление определяется объемным удельным сопротивлением слоев, входящих в структуру элемента, и контактным сопротивлением. [1]

Эквивалентные схемы варикапа. а - полная. б-упрощенная. а - на низких частотах. г - на высоких частотах. [2]

Последовательное сопротивление rs практически определяет добротность варикапа в диапазоне рабочих частот и характеризует температурные свойства добротности. [3]

Последовательное сопротивление rs или постоянную времени is измеряют при подаче на диоды обратного смещения на сверхвысоких частотах, поскольку на низких частотах невозможно получить удовлетворительную точность. [4]

Последовательное сопротивление в цепи миллиамперметра дает возможность изменять диапазон измерения. Кроме того, имеется дополнительный десятикратный умножитель, выполненный в виде входного делителя напряжения на сопротивлениях. На упрощенной схеме он не показан. [5]

Последовательное сопротивление этих приборов составляло приблизительно 0 07 ом. В результате их дальнейшего усовершенствования удалось создать устройства, которые при наличии охлаждающих радиаторов пригодны для выпрямления токов величиной 50 - 100 а и выдерживают обратное напряжение порядка 200 в. Диффузионные кремниевые диоды по сравнению с германиевыми и селеновыми имеют при всех температурах лучшие обратные характеристики, уступая германиевым диодам лишь в отношении прямого падения напряжения. [6]

Последовательное сопротивление rs определяет добротность варикапа QB на высоких частотах. [7]

Схема для формирования импульсов положительной ( а и отрицательной ( б полярности с низким выходным сопротивлением. [8]

Последовательное сопротивление в цепи разряда емкости также применяется при конструировании схем с низким выходным сопротивлением. [9]

Схема включения испытательного трансформатора типа ИОМ-300 или ИОМ-500. [10]

Последовательное сопротивление рис. 4 - 10, 1C применяют с трансформатором типа ИОМ-500 старой конструкции. [11]

Последовательные сопротивления Rn ( рис. 5 - 32 а) в основном предназначены для облегчения гашения дуги в выключателях с многократным простым разрывом. В идеальном случае их сопротивление должно быть достаточно малым, чтобы предотвратить повторное зажигание дуги на контактах b после первого же перехода тока через нуль. Но в то же время величина сопротивления Rn должна быть достаточно большой, чтобы, будучи включенным в цепь последовательно, обеспечить гашение дуги на контактах г при последующем переходе тока через нуль. [12]

Здесь последовательное сопротивление Rn складывается из сопротивления материала полупроводника и сопротивления контактов, а параллельное сопротивление Rm есть обратное сопротивление р - n - перехода. [13]

Последовательное сопротивление туннельного диода часто определяюг по наклону обратной ветви характеристики при достаточно больших обратных токах. [14]

Последовательное сопротивление коллекторной области транзистора регулируется путем введения в его структуру скрытого п - слоя. В области коллектора, где формируется омический контакт, проводится диффузия донорной примеси для образования - области. Этим обеспечивается предотвращение инверсии слаболегированного эпитаксиального слоя, так как алюминий, используемый при выполнении омического контакта, является акцептором. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5