Последовательное сопротивление

Cтраница 2

Вычислим эквивалентное последовательное сопротивление г ( 1) активных иотерь в резонаторе, отнесенное к току / о, протекающему по емкости Со. [16]

Снижение последовательного сопротивления в поликристаллических солнечных элементах обычно не вызывает проблем при условии, что все остальные параметры оптимизированы. [17]

Роль последовательного сопротивления может выполнять выходное сопротивление усилительного каскада. На рис. 24 6 показана схема соединения усилителя с ограничителем для такого случая. Смещение на диоды подается от делителя RzRs, сопротивление R и потенциометр R2 служат для установки начального режима диодного ограничителя. [18]

Возрастание последовательного сопротивления диода с увеличением частоты из-за влияния потерь в полупроводнике на скин-эффект учитывается далее дополнительно. [19]

Эквивалентная схема реального фильтра. [20]

Если недопустимы большие последовательные сопротивления, то вместо резисторов применяют катушки индуктивности. Величины индуктивности выбирают, исходя из конкретных условий, практической реализуемости и конструктивной и экономической целесообразности. Для частот примерно 105 гц, как показывает практика, целесообразно использовать катушки с магнитопроводом, а для частот выше 10вгц - катушки без магнитопровода. [21]

При этом сами частные, последовательные сопротивления ( 1 / а и 1 / Р) традиционно выражаются через соответствующие частные проводимости ( а и ( 3) отдельных участков пути, по которым потоки переходят от одной среды к другой. [22]

Для уменьшения последовательного сопротивления коллекторному току иногда перед осаждением эпитак-сиального слоя на участках подложки, над которыми в дальнейшем будут располагаться коллекторные области транзисторов, формируется так называемый скрытый слой - высоколегированная область небольшой глубины. Резкое увеличение концентрации носителей у коллекторного контакта позволяет значительно снизить его переходное сопротивление. [23]

Для уменьшения последовательного сопротивления применяют соответствующую технологию нанесения резистивных и контактных слоев. Получаемое при этом контактное сопротивление не превышает обычно 10 - 2 Ом. Сопротивление проводящих линий делают минимальным за счет выбора низкоомных материалов, длины и ширины проводников. [24]

Метод измерения последовательного сопротивления потерь Диоды полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода Диоды полупроводниковые туннельные. Методы измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора Диоды полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивлений Стабилитроны полупроводниковые. [25]

Для уменьшения последовательного сопротивления в конденсаторах с таким анодом должен применяться рабочий электролит с очень малым удельным сопротивлением. В качестве такого электролита используется водный раствор хлористого лития. [26]

В качестве последовательного сопротивления г3 целесообразно использовать сопротивление дополнительных полюсов и сериесной обмотки электродвигателя. [27]

Когда величина последовательного сопротивления ограничена и емкости конденсаторов требуются большие, то используют многозвенные фильтры с несколькими конденсаторами. [28]

Для снижения последовательного сопротивления базы применяется двухбазовая полосковая топология транзистора. В транзисторах средней и большой мощности используется топология с максимальным отношением периметра эмиттера к его площади. [29]

Для снижения последовательного сопротивления R и повышения добротности в коллекторной области конденсатора формируют - слой. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5