Диффузионное сопротивление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Закон Митчелла о совещаниях: любую проблему можно сделать неразрешимой, если провести достаточное количество совещаний по ее обсуждению. Законы Мерфи (еще...)

Диффузионное сопротивление

Cтраница 1


Диффузионное сопротивление становится незначительным в тех случаях, когда реакция на поверхности протекает медленно, а также при высоких парциальных давлениях реагентов.  [1]

Диффузионное сопротивление может быть значительно снижено или полностью снято при обеспечении высокой степени контакта между реагирующими фазами. Поверхность нефтяного кокса, как было уже сказано, складывается из внутренней и внешней поверхностей. Даже в сыром нефтяном коксе, полученном замедленным коксованием, внутренняя поверхность значительно больше внешней, что обусловливает его высокую активность. Дальнейшая активация нефтяных коксов может быть осуществлена измельчением кускового кокса, приводящим к увеличению внешней поверхности, или увеличением микропористости кокса, что позволяет повышать удельную поверхность в десятки и сотни раз.  [2]

Диффузионное сопротивление становится незначительным в тех случаях, когда реакция на поверхности протекает медленно, а также при высоких парциальных давлениях реагентов.  [3]

Диффузионное сопротивление г; характеризует воздействие коллекторного напряжения на эмиттерный переход.  [4]

Диффузионное сопротивление становится незначительным в тех случаях, когда реакция на поверхности протекает медленно, а также при высоких парциальных давлениях реагентов.  [5]

Диффузионное сопротивление вблизи поверхности микросфер отсутствует.  [6]

Диффузионное сопротивление слоев окисла на всем протяжении процесса восстановлении будет лимитировать его скорость.  [7]

Диффузионные сопротивления изготовляются, как правило, одновременно с другими элементами схемы. В качестве основы используются слои, составляющие основу ( базу) транзистора. Ширина обедненного слоя / 7-п-перехода, отделяющего диффузионный слой сопротивления от основной части полупроводниковой пластины, зависит от внешнего напряжения. Изменение этого напряжения сопровождается изменением сечения диффузионного слоя и, как следствие, изменением номинальной величины сопротивления слоя. Это обстоятельство приводит к нелинейным искажениям сигнала, которые должны быть учтены в процессе расчета параметров интегральной схемы. Помимо этого, изменение толщины обедненного слоя / 7-п-перехода в зависимости от приложенного напряжения можно отождествить с некоторым реактивным элементом ( например, емкостью), что в конечном итоге ограничивает частотный диапазон работы схемы.  [8]

Диффузионное сопротивление формулой ( 9 - 2 - 38) не учитывается, что является одним из ее недостатков. При небольшой скорости конденсации процессы переноса в паровой фазе могут сказываться на теплоотдаче.  [9]

Диффузионное сопротивление становится незначительным в-тех случаях, когда реакция на поверхности протекает медленно, а также при высоких парциальных давлениях реагентов.  [10]

11 Предельные значения X для различных значений. [11]

Диффузионное сопротивление становится незначительным в тех случаях, когда реакция на поверхности протекает медленно, а также при высоких парциальных давлениях реагентов.  [12]

Диффузионное сопротивление гд, по которому протекают заряды.  [13]

14 Температура воспламенения сульфидов железа и цветных металлов ( С. [14]

Диффузионное сопротивление оболочки МоО3 сказывается существенно лишь при толщине ее более 0 1 - 0 2 мм. Так как все частицы флотационных концентратов меньше 0 1 мм, то окисление молибденита в концентрате протекает практически в кинетической области.  [15]



Страницы:      1    2    3    4