Тепловое сопротивление

Cтраница 1

Тепловое сопротивление в отсутствие радиатора не допускает рассеяния мощ - 100D - ности больше 1 - 4 Вт. Наличие радиатора снижает значение Rt и приближа-ет его к тепловому сопротивлению участка переход - корпус. Соответственно допустимая мощность сильно возрастает. [1]

Тепловые сопротивления соответствуют одновременному включению четырех каналов. [2]

Тепловое сопротивление между металлом лобовых частей обмотки и охлаждающим воздухом состоит из двух последовательных сопротивлений. [3]

Типовая зависимость /. т.п. к от времени действия мощности для мощного полупроводникового прибора. [4]

Тепловое сопротивление т.п. к определяется внутренней конструкцией и материалом полупроводникового прибора и является постоянным для случая статического теплового режима. [5]

Зависимость теплового сопротивления контакта между пластинами от их толщины ( граничные температуры 296 и 76 К. [6]

Тепловое сопротивление может быть дополнительно повышено в несколько раз путем покрытия поверхности пластин слоем порошкообразного материала, например порошка двуокиси марганца. [7]

Тепловое сопротивление выражается в тепловых омах, тепловой поток - в ваттах, а температура - в градусах. [8]

Теплопроводность составной плоской стенки.| Теплопроводность составной цилиндрической стенки. [9]

Тепловое сопротивление в точке контакта рассматривается в гл. [10]

Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном режиме.| Вид спектра частот выходного сигнала при измерении коэффициента комбинационных составляющих методом двухтоно-вого сигнала. [11]

Тепловое сопротивление переход - корпус зависит от конструкции транзистора и может быть определено из области максимальных режимов. [12]

Тепловая модель прибора таблеточной конструкции в режиме постоянного тока. [13]

Тепловое сопротивление на любой границе раздела является функцией площади контакта, степени неровности контактирующих поверхностей, нагрузки, приложенной между поверхностями, и теплопроводности материала, заполняющего небольшие зазоры на границе раздела. [14]

Эквивалентная схема мощного СВЧ транзистора в активном. [15]

Страницы: 1 2 3 4 5