Тепловое сопротивление - транзистор
Cтраница 1
Тепловое сопротивление транзистора RT показывает, насколько увеличивается температура перехода на единицу мощности рассеяния на нем, и измеряется в С / ет. [1]
 |
Схема для разбраковки транзисторов по минимальной ширине базы. [2] |
Величины теплового сопротивления транзисторов, полученные расчетным путем, не согласуются с величинами, полученными экспериментально. [3]
Так как тепловое сопротивление транзистора должно измеряться в состоянии теплового равновесия, мощность на транзистор необходимо подавать в течение достаточно длительного промежутка времени. [4]
Здесь RT - тепловое сопротивление транзистора, определяющее передачу тепла от коллекторного перехода к корпусу и зависящее от теплопроводности материалов, из которых изготовлен транзистор, а также от его конструкции; RTO - тепловое сопротивление теплоотвода, определяющее передачу тепла от корпуса транзистора в окружающую среду и зависящее от конструкции и материала теплоотвода, качества теплового контакта корпуса транзистора с теплоотво-дом и коэффициента теплоотдачи поверхности радиатора Переход Корпус в окружающую среду; Ст и Сто - тепловые емкости транзистора и теплоотвода, определяющие инерционность про - Рк. [5]
В начале измерения теплового сопротивления транзистора переключатель П устанавливается в положение, показанное на рисунке. Транзистор вставляется в соответствующие гнезда: усилитель ARi будет давать на выходе напряжение, равное прямому падению напряжения на диоде база - коллектор. Это напряжение заряжает конденсатор С и остается на нем в течение остального периода измерения. Затем П переключается в другое положение, и устанавливается соответствующая величина тока через транзистор. Изменение падения напряжения на переходе база - коллектор отсчитывается по измерителю М2, который может быть откалиб-рован в градусах. [6]
 |
Схема соединения сопротивлений. [7] |
В приложении 2 приведены данные измерения теплового сопротивления транзистора. [8]
В табл. 5.1 приведены приближенные значения теплового сопротивления транзисторов различных типов. [9]
Как указано выше, сопротивление теплового контакта составляет часть теплового сопротивления транзистора, поэтому рационально иметь тепловое сопротивление радиатора, соизмеримое с тепловым сопротивлением транзистора. [10]
По вычисленной рассеиваемой мощности с учетом за данных максимальной температуры окружающей среды и теплового сопротивления транзисторов рассчитывается необходимая поверхность теплоотводящего радиатора. Методика такого расчета ничем не отличается от приведенной в гл. [11]
Здесь Т - температура коллекторного перехода транзистора; Т0 - температура окружающей среды; RT - тепловое сопротивление транзистора, определяющее передачу тепла от коллекторного перехода к корпусу транзистора и зависящее от теплопроводности материалов, из которых изготовлен транзистор, и его конструкции; RTO - тепловое сопротивление теплоотвода, определяющее передачу тепла от корпуса транзистора в окружающую среду и зависящее от конструкции теплоотвода, теплопроводности материала, из которого он изготовлен, и качества теплового контакта корпуса транзистора с теплоотводом. [12]
В предыдущих статьях [1, 2] нами был предложен метод упрощенных эквивалентов, который с хорошей точностью позволяет произвести расчет тепловых сопротивлений транзисторов. Были рассмотрены случаи, когда источник тепла находился на однородной изотропной пластине. [13]
С) - максимальная температура окружающей среды; Rt ( KtK RtKc) ( С / вт) - тепловое сопротивление транзистора; Rtrt ( C / eT) - тепловое сопротивление переход - корпус; гкс ( С / бт) - тепловое сопротивление корпус - среда. [14]
Как видно, поправка невелика, а поэтому ее нередко можно и не учитывать, так как действительное значение теплового сопротивления транзистора обычно ниже максимальной величины, указываемой в справочнике. [15]
Страницы: 1 2