Тепловое сопротивление - транзистор
Cтраница 2
Как правило, с корпусом соединяется коллекторный электрод, так как хороший их контакт улучшает теплоотвод от коллектора и снижает тепловое сопротивление транзистора. [16]
Как указано выше, сопротивление теплового контакта составляет часть теплового сопротивления транзистора, поэтому рационально иметь тепловое сопротивление радиатора, соизмеримое с тепловым сопротивлением транзистора. [17]
Как правило, с корпусом соединяется коллекторный электрод, так как хороший контакт области коллектора с корпусом улучшает теплоотвод от коллектора и снижает тепловое сопротивление транзистора. [18]
 |
Схема образования р-п - - р структуры в сплавном транзисторе. [19] |
В маломощных транзисторах ( П9, П10, П13 - П16, П101 - П105) с корпусом соединяется базовый электрод, а в мощных - коллекторный, так как хороший контакт области коллектора с корпусом улучшает теплоотвод от коллектора и снижает тепловое сопротивление транзистора. [20]
Выведена формула для температурного коэффициента эмиттерно-го напряжения для кремниевых дрейфовых транзисторов. Определено тепловое сопротивление СВЧ транзисторов КТ904 и КТ606 из входных вольт-амперных характеристик, снятых при разных коллекторных напряжениях. [21]
Метод упрощенных эквивалентов распространен на случай, когда теплоотводящая поверхность не изотермична, а участвует в теплообмене с окружающей средой и когда имеется контактное сопротивление в слоях структуры. Дан пример расчета теплового сопротивления СВЧ транзистора с контактным сопротивлением корпус - теплоотвод. [22]
Один из них - определять тепловое сопротивление транзистора для каждого конкретного режима, выясняя в нем предварительно распределение источников тепла. Этот подход вряд ли следует считать целесообразным, потому что при этом тепловое сопротивление перестанет быть постоянной характеристикой транзистора. [23]
Тепловое сопротивление квадратного сантиметра площади хорошо выполненного контакта два транзистора с алюминиевым радиатором или шасси имеет величину порядка 1 5 - 2 С / вт. Для его учета достаточно к величине теплового сопротивления транзистора, указанной в справочнике, прибавить это значение, поделенное на площадь контакта. [24]
Кб от 6 до 12 В или от 12 до 18 В входное напряжение U36 убывает на 0 0175 В. В, f / 36i - эб2 0 0175 В, находим тепловое сопротивление транзистора КТ904 Я116 С / Вт. Если бы мы использовали значение Ки 2 3 - 10 - 3 В / С приведенное в работе [3], то получили бы заниженные на 30 % величины теплового сопротивления. [25]
При работе транзисторов в импульсных режимах тепло в Коллекторном переходе выделяется в основном на фронтах импульса. Максимальная температура, которая при этом достигается, может значительно превосходить среднюю. Последнюю обычно определяют, исходя из измерений теплового сопротивления транзистора и средней величины выделяемой в нем мощности. [26]
 |
К расчету теплового режима транзистора. [27] |
Мы качественно нарисовали ситуацию, в которой и берут свое основание тепловые расчеты. Гладкая и чистая поверхность металла имеет маленькое тепловое сопротивление, а грязная и неровная - высокое. Тепловое сопротивление транзистора зависит от конструкции его корпуса, площади полупроводникового кристалла и, как ни странно, от частоты переключения и скважности импульсов... [28]
Прежде всего в мощных транзисторах следует стремиться к увеличению их допустимой мощности рассеяния. Для обеспечения этого требования необходимо, чтобы транзисторная структура и в первую очередь те ее области, где происходит в основном выделение тепла, допускали нагрев до достаточно высоких температур. С этой точки зрения германиевые транзисторы уступают кремниевым, так как благодаря большей ширине запрещенной зоны в приборах, изготовленных на основе кремния, транзисторная структура допускает нагрев до более высокой температуры. Кроме того, для увеличения допустимой мощности рассеяния необходимо стремиться к снижению теплового сопротивления транзистора, так как величина допустимой мощности рассеяния при прочих равных условиях обратно пропорциональна тепловому сопротивлению. [29]
Так, в подобном корпусе фирма RCA выпустила транзистор ТА7003, отдающий 1 вт на частоте 2 Ггц. Индуктивность этого корпуса не превосходит 0 1 нгн. Транзистор отдает максимальную мощность в коаксиальной воздушной линии в схеме с общей базой. В этих структурах отвод тепла осуществляется как с коллекторной, так и с эмиттерной стороны кристалла, что позволяет резко уменьшить тепловое сопротивление транзисторов. Кроме того, в них возможно получение очень малых индуктивностей эмиттера. Структура транзистора включает в себя также последовательные балластные сопротивления в цепи эмиттера, снижающие вероятность вторичного пробоя. На одной из двух составляющих транзистор пластин на подложке га - типа создаются коллектор n - типа и базовый слой р - типа. [30]
Страницы: 1 2