Cтраница 1
Электронная составляющая замыкается через цепь базы и не участвует в создании тока коллектора. Диффузия электронов из базы в эмиттер восполняется притоком в базу новых электронов из внешней цепи, что и определяет величину и направление электронной составляющей тока эмиттера. [1]
Электронная составляющая энтропии равна нулю, так как суммарный спин э / ектронов равен нулю. [2]
![]() |
Зависимость диэлектрической проницаемости. от среднего атомного числа на молекулу окислов N. [3] |
Электронная составляющая проводимости играет основное значение в тех случаях, когда ионы имеют малые размеры и являются относительно недеформируемыми. Электронная составляющая проницаемости также доминирует, когда в материале имеется избыток электронов проводимости, как, например, у кремния или германия. Многочисленные полимеры, применяемые в микроэлектронике, имеют электронную составляющую проводимости. [4]
Электронная составляющая коллекторного тока не превосходит обычно, так же как и в эмиттерном токе, 1 % от дырочной составляющей тока. [5]
Электронная составляющая внутренней энергии согласно уравнению ( 1 88) равна нулю. [6]
![]() |
Потенциальные диаграммы бездрейфового транзистора p - n - р тша при отсутствии ( а и наличии ( б внешнего электрического поля. [7] |
Электронная составляющая эмиттерного тока незначительна, так как концентрация электронов в базовой области обычно значительно ниже концентрации дырок в эмиттерной области. При достаточно тонкой базе область рекомбинации мала и базовый ток составляет I - т - 5 % от эмиттерного тока. [8]
Электронная составляющая внутренней энергии согласно уравнению ( 1 88) равна нулю. [9]
Поскольку электронная составляющая может оказаться важной, укажем на факторы, способные привести к дополнительному увеличению максимального энерговклада при таких его скоростях: твердое тело может перейти не только в метастабильное, но и электронно-возбужденное состояние. Роль охлаждения катода в [20] может указывать на возможную двух-температурность микроострий на катоде. Ожидается важная роль размерного эффекта. [10]
В полупроводниках электронная составляющая теплопроводности ke, связанная с электропроводностью а, приобретает большое значение. [11]
В полупроводниках электронная составляющая теплопроводности & в, связанная с электропроводностью о, приобретает большое значение. [12]
При этом электронная составляющая Ian эмиттерного тока, обусловленная потоком электронов из эмиттера в базу, превалирует над дырочной составляющей / эр, обусловленной потоком дырок из базы в эмиттер. [14]
Зависит только ее электронная составляющая. [15]