Электронная составляющая
Cтраница 3
 |
Влияние шунтирования эмиттерного перехода. [31] |
Ослабление температурного влияния обусловлено тем, что при шунтировании перехода увеличивается электронная составляющая эмиттерного тока за счет ее доли, проходящей непосредственно через шунт. [32]
По величине электросопротивления и теоретическому значению числа Лоренца для A1N - полупроводника рассчитана электронная составляющая теплопроводности. [34]
К оксидным электродам непосредственно примыкают электроды из элек-тронопроводящих оксидных стекол, в которых электронная составляющая проводимости появляется при введении в них окислов переходных металлов. [35]
Так как концентрация электронов в базе составляет лишь тысячные и сотые доли от концентрации дырок в эмиттере, то и электронная составляющая в эмиттерном токе составляет лишь доли процента в полном эмиттерном токе. Это значит, что подавляющая часть эмиттерного тока переносится в триодах типа p - n - р дырками. [36]
Так как концентрация электронов в базе примерно на два порядка меньше, чем концентрация дырок в эмиттере, то и электронная составляющая эмиттерного тока равна не более 1 % от полного значения эмиттерного тока. [37]
Составляющая энтропии, определяемая атомным весом, при расчете ASf в большей или меньшей степени компенсируется вушя-нием его и на энтропию соединения; электронная составляющая при обычных и умеренно повышенных температурах большей частью не играет определяющей роли. [38]
Составляющая энтропии, определяемая атомным весом, при расчете AS / в большей или меньшей степени компенсируется влиянием его и на энтропию соединения; электронная составляющая при обычных и умеренно повышенных температурах большей частью не играет определяющей роли. [39]
В случае, когда ионы имеют малые размеры и являются относительно недеформируемыми, как, например, в случае многочисленных полимеров, основное значение имеет электронная составляющая проницаемости ее. Она также доминирует, когда присутствует избыток электронов проводимости, например, у элементов IV группы. На рис. 12 графически показана зависимость диэлектрической проницаемости от атомного номера IV группы. Атомный номер служит для определения места в периодической таблице элементов По той же самой причине среднее атомное число на молекулу используется в случае соединений. [40]
Вычислить, при какой температуре атомная энтропия аргона при давлении 1 0133 105 н / м2 будет равна 188 04 103 дж / кмоль град, если электронная составляющая суммы по состояниям равна единице. [41]
 |
Зависимость удельной теплоемкости некоторых металлов и сверхпроводников от температуры.| Теплопроводность медных образцов. [42] |
У неметаллических материалов при низких температурах теплота переносится только посредством колебаний атомов, у металлов - как решеточными волнами, так и электронами проводимости, причем в механизме теплопроводности чистых металлов электронная составляющая значительно превышает фононную. [43]
Электронная составляющая проводимости играет основное значение в тех случаях, когда ионы имеют малые размеры и являются относительно недеформируемыми. Электронная составляющая проницаемости также доминирует, когда в материале имеется избыток электронов проводимости, как, например, у кремния или германия. Многочисленные полимеры, применяемые в микроэлектронике, имеют электронную составляющую проводимости. [44]
Электронная составляющая суммы по состояниям равна единице. [45]
Страницы: 1 2 3 4