Cтраница 1
![]() |
Энергетические зоны в точечном транзисторе.| Структура тока через коллекторный переход. [1] |
Электронная составляющая тока / к в сечении Я3 равна YS / K. [2]
Электронная составляющая тока через коллекторный переход также незначительна вследствие низкого значения пр в коллекторе. [3]
Электронная составляющая тока коллектора / дн создается электронами, переходящими из коллектора в базу. [4]
Электронная составляющая тока эмиттера непосредственного влияния на ток коллектора не оказывает. [5]
Если учесть, что электронная составляющая тока много Польше ионной, а скорости электронов имеют большой разброс, то станет ясно, что нулевой ток зонда ( равенство ионного и электронного токов) имеет место при некотором отрицательном напряжении на зонде относительно плазмы. Следовательно, поверхность любого диэлектрика или плавающий электрод ( или стенка трубки) заряжаются в плазме отрицательно, чтобы отталкивать большую часть приходящих к зонду электронов. Из вольт-амперной характеристики зонда следует, что на электрод мож - ЯО подать сколь угодно большое отрицательное смещение ( пока ионная бболочка не расширится настолько, что займет всю трубку и погасит в ней плазму), а положительное смещение, превышающее потенциал ионизации газа, подавать нельзя; в этом случае электрод станет новым анодом, на который потекут большие электронные токи и он сильно разогреется. [6]
В случае высоких уровней инжекции электронная составляющая тока очень мала, и ею можно пренебречь. Уравнение (3.90) справедливо только в случае высоких уровней инжекции при прямом смещении. [7]
Основную роль в работе транзистора играет электронная составляющая тока, поскольку электроны, покидающие эмиттер, попадают на коллектор. [8]
В формулах ( 4 - 29) не учтена электронная составляющая тока, которая при условии рк рб несущественна. [9]
![]() |
Зонные диаграммы для транзистора при различных режимах его работы. [10] |
При большой разнице в удельных сопротивлениях слоев Э и Б электронная составляющая тока, как известно, не играет большой роли и ею пока можно пренебречь. Инжектированные дырки, пройдя базу, доходят до коллекторного перехода и свободно проходят в коллектор. [11]
![]() |
Энергетические диаграммы светодиода при отсутствии внешнего напряжения ( а и при прямом включении ( б. [12] |
Вообще говоря, этот ток представляет собой движение электронов и дырок, но электронная составляющая тока значительно больше. По мере движения электронов от области п к области р они переходят с одного энергетического уровня на другой. В области р - л-перехода, а также в р - области, прилегающей к р - n - переходу происходит самопроизвольная рекомбинация носителей заряда. [13]
Величину этого внутреннего поля базы Е можно найти исходя нз того, что электронная составляющая тока эмиттера в транзисторе пренебрежимо мала по сравнению с дырочной. [14]
![]() |
Зондовые измерения. [15] |