Электронная составляющая - ток
Cтраница 2
Поэтому результирующий ток на зонд в точке S, так же как у изолированной стенки, равен нулю. При дальнейшем ослаблении отрицательного потенциала зонда число электронов, попадающих на зонд, быстро возрастает и электронная составляющая тока на зонд начинает превалировать над ионной. Этому соответствует участок / / на зондовой характеристике. [16]
Ток во внешней цепи эмиттера равен току, протекающему через эмиттерный переход. Поскольку через него перемещаются как электроны, так и дырки, то считают, что ток эмиттера содержит электронную ian и дырочную iap составляющие. Электронная составляющая тока, как установлено в разд. [17]
Возникает вопрос, какова природа электронной эмиссии катода дуги. В дуговом разряде ионная бомбардировка не может играть заметной роли в эмиссии катода, так как катодное падение потенциала мало. Но катод дуги обычно нагревается до высокой температуры и естественно предположить, что электронная составляющая тока на катоде представляет собой термо-электрон-ный ток. Подсчет показывает, что в случае катодов из тугоплавких и плохо испаряющихся материалов это вполне возможно. Аналогичный результат получается и для Дуги в азоте с вольфрамовым электродом. Отсюда следует, что электронная эмиссия в дугах с плохо испаряющимися катодами вполне может быть объяснена термоэлектронной эмиссией, особенно если учесть отмеченное выше уменьшение работы выхода. [18]
В отлично от полупроводников, диэлектрики имеют достаточно большую ширину запрещенной зоны ( больше нескольких ас), поэтому при комнатной темп-ре концентрация свободных электронов у них невелика и электронная составляющая тока практически отсутствует; для выполнения этого условия требуется также, чтобы у вещества не было примесных уровней, расположенных вблизи края зоны проводимости. [19]
Итак, при отрицательном напряжении на сетке в цепи сетки существует отрицательный ток, обусловленный попаданием ионов на сетку. При небольшом отрицательном напряжении некоторая часть электронов проходит из плазмы через слой ионов на сетку, создавая в ее цепи электронный ток положительного направления. Чем меньше отрицательное напряжение на сетке, тем больше электронов проходит через ионный слой, тем больше эта составляющая тока, поэтому результирующий ток сетки при уменьшении отрицательного ug уменьшается. Если электронная составляющая тока равна ионной составляющей, то сеточный ток равен нулю. Если же электронная составляющая преобладает над ионной, то сеточный ток оказывается положительным. [20]
Распределение указанной дырочной составляющей тока показано на рис. 1.14, а. В аналогичном режиме работает и второй транзистор. Эмиттерный переход Я3 п-р - п транзистора также смещен в прямом направлении, а коллекторный Я2 - в обратном. Эта электронная составляющая тока показана в нижней части структуры на рис. 1.14, а. Кроме этих транзисторных составляющих тока коллекторного перехода Я2, обусловленных токами эмиттерных переходов Пх и Я3, через переход Я2 протекает ток неосновных носителей, имеющихся в слоях j и р2, / кбо / кор / коп. [21]
 |
Включение транзистора в схему усилителя. [22] |
Когда в цепи эмиттера появляется ток, свободные носители зарядов инжектируются из эмиттера в базу. Здесь сильное электрическое поле увлекает носители положительных зарядов из области базы в область коллектора. Но ток эмиттера образуется также электронами, которые инжектируются из базы в эмиттер. Это значит, что электронная составляющая тока эмиттера должна быть как можно меньше, ибо только в этом случае большая часть тока эмиттера будет проходить в цепь коллектора. Последнее условие вынуждает изготовлять базу с минимальным содержанием примесей. [23]
Ионизированную газовую среду, характеризующуюся динамическим равенством концентраций ионов и электронов, называют электронно-ионной плазмой или просто плазмой. Столб разряда является одним из видов плазмы. Указанные выше значения концентраций зарядов в плазме ионных приборов изменяются: в зависимости от плотности ( давления) газа и плотности тока в столбе разряда. Характерным для электронно-ионной плазмы является беспорядочно-направленное движение зарядов в ней. Направленные составляющие этого движения определяют токи в приборе: электронная составляющая тока уходит к аноду, а ионная - к катоду. [24]
HI диффундируют дырки, часть которых ( 1 - ар) / а рекомбинирует в базе, а другая часть а / а втягивается полем перехода Я2 и попадает в коллектор рг. Распределение указанной дырочной составляющей тока показано на рис. 1.14, а. В аналогичном режиме работает и второй транзистор. Эмиттерный переход Я3 n - p - п транзистора также смещен в прямом направлении, а коллекторный Пч - в обратном. Эта электронная составляющая тока показана в нижней части структуры на рис. 1.14, а. [25]
Страницы: 1 2