Дрейфовая составляющая - ток
Cтраница 1
Дрейфовая составляющая тока возникает при действии внешнего электрического поля напряженностью Е на полупроводник. Плотность этого тока численно равна заряду ( в кулонах), проходящему через единицу площади за одну секунду. [1]
При прямом включении дрейфовая составляющая тока пренебрежимо мала по сравнению с диффузионной. Это объясняется низкой концентрацией неосновных носителей заряда и уменьшением результирующей напряженности электрического поля, обусловливающих дрейфовый ток. [2]
При прямой полярности приложенного напряжения дрейфовая составляющая тока остается практически постоянной, а диффузионная составляющая возрастает по экспоненциальному закону. При отсутствии внешнего напряжения ( U 0) дрейфовая и диффузионная составляющие равны между собой. Уравнение вольт-амперной характеристики р - n - перехода аналогично ранее выведенному уравнению (1.8) для контакта металл - полупроводник. [3]
Здесь приняли, что в канале присутствует только дрейфовая составляющая тока, цп - подвижность электронов, W - ширина канала. [4]
 |
Распределение неосновных носителей заряда в транзисторе при. [5] |
Вблизи коллектора концентрация инжектированных носителей падает, соответственно падает и дрейфовая составляющая тока, но зато растет диффузионная составляющая; поэтому полный ток остается постоянным. [6]
Равновесие в потоках носителей через переход нарушается в пользу диффузионной составляющей тока, которая при достаточно большом прямом напряжении определяет значение тока через р-п переход. Дрейфовая составляющая тока через р-п переход в выпрямительном диоде является фактически паразитной и должна быть минимально возможной. [7]
Ток в полупроводниках представляет собой перемещение электронов и дырок и содержит дрейфовую и диффузионную составляющие. Дрейфовая составляющая тока пропорциональна концентрации носителей, а диффузионная - наклону пространственного распределения этой концентрации. Следовательно, нужно знать распределение концентрации носителей в кристалле, а для БИС, кроме того, изменение концентрации носителей от температуры и концентрации примеси. [8]
При б 1 вблизи р-п перехода возникает заметный градиент концентрации неосновных носителей. При этом появляется электрическое поле и наряду с диффузионной составляющей - дрейфовая составляющая тока, которой пренебрегать нельзя, и, следовательно, формула (2.32) перестает быть справедливой. [9]
 |
Распределение неосновных носителей заряда в транзисторе при. [10] |
Соответствующее распределение концентрации носителей показано на рис. 4.6, в. В данном случае абсолютная величина градиента концентрации носителей растет по мере приближения к коллекторному переходу. Вблизи коллектора концентрация инжектированных носителей падает, соответственно падает и дрейфовая составляющая тока, но зато растет диффузионная составляющая; поэтому полный ток остается постоянным. [11]
Соответствующее распределение концентрации носителей показано на рис. 4.6, в. В данном случае абсолютное значение градиента концентрации носителей растет по мере приближения к коллекторному переходу. Вблизи коллектора концентрация инжектированных носителей падает, соответственно падает и дрейфовая составляющая тока, но зато растет диффузионная составляющая; поэтому полный ток остается постоянным. [12]
На рис. 4.12 показано распределение плотности носителей заряда в базе дрейфового транзистора, рассчитанное по приведенному соотношению для различных градиентов концентрации примеси при одной и той же плотности дырочного тока Jp. Случай т ] 0 соответствует транзистору с постоянной концентрацией примеси4 в базе. При увеличении коэффициента поля 1 ] электрическое поле в базе и дрейфовая составляющая тока возрастают. Следовательно, диффузионная составляющая тока и градиент концентрации носителей заряда должны уменьшаться, что и видно из графика. При т ] 8 ток у эмиттерного перехода определяется в основном дрейфом носителей заряда и градиент их концентрации в этой области практически равен нулю. По мере приближения к коллекторному переходу концентрация носителей заряда и дрейфовая составляющая тока уменьшаются, а градиент концентрации носителей заряда и диффузионная составляющая тока возрастают. Непосредственно у коллекторного перехода дрейфовая составляющая тока равна нулю и ток является чисто диффузионным. [13]
 |
Внутренний фотоэффект в р-п переходе. [14] |
В равновесном состоянии, когда поток излучения отсутствует ( Ф0), зонные диаграммы диода и фотодиода полностью совпадают. В обычном диоде равновесие в структуре нарушается при приложении к р-п переходу прямого напряжения ( плюс к р-области, минус к n - области) - внутренний потенциальный барьер снижается. Равновесие в потоках носителей через переход нарушается в пользу диффузионной составляющей тока, которая при достаточно большом прямом напряжении определяет значение тока через р-п переход. Дрейфовая составляющая тока через р-п переход в выпрямительном диоде является фактически паразитной и должна быть минимально возможной. [15]
Страницы: 1 2