Cтраница 2
На рис. 4.12 показано распределение плотности носителей заряда в базе дрейфового транзистора, рассчитанное по приведенному соотношению для различных градиентов концентрации примеси при одной и той же плотности дырочного тока Jp. Случай т ] 0 соответствует транзистору с постоянной концентрацией примеси4 в базе. При увеличении коэффициента поля 1 ] электрическое поле в базе и дрейфовая составляющая тока возрастают. Следовательно, диффузионная составляющая тока и градиент концентрации носителей заряда должны уменьшаться, что и видно из графика. При т ] 8 ток у эмиттерного перехода определяется в основном дрейфом носителей заряда и градиент их концентрации в этой области практически равен нулю. По мере приближения к коллекторному переходу концентрация носителей заряда и дрейфовая составляющая тока уменьшаются, а градиент концентрации носителей заряда и диффузионная составляющая тока возрастают. Непосредственно у коллекторного перехода дрейфовая составляющая тока равна нулю и ток является чисто диффузионным. [16]
На рис. 4.12 показано распределение плотности носителей заряда в базе дрейфового транзистора, рассчитанное по приведенному соотношению для различных градиентов концентрации примеси при одной и той же плотности дырочного тока Jp. Случай т ] 0 соответствует транзистору с постоянной концентрацией примеси4 в базе. При увеличении коэффициента поля 1 ] электрическое поле в базе и дрейфовая составляющая тока возрастают. Следовательно, диффузионная составляющая тока и градиент концентрации носителей заряда должны уменьшаться, что и видно из графика. При т ] 8 ток у эмиттерного перехода определяется в основном дрейфом носителей заряда и градиент их концентрации в этой области практически равен нулю. По мере приближения к коллекторному переходу концентрация носителей заряда и дрейфовая составляющая тока уменьшаются, а градиент концентрации носителей заряда и диффузионная составляющая тока возрастают. Непосредственно у коллекторного перехода дрейфовая составляющая тока равна нулю и ток является чисто диффузионным. [17]