Cтраница 1
Состояние сильновозбужденного кристалла по сути является суперпозицией совокупности структур при значительном превышении числа допускаемых структурных состояний атомов. Атом-вакансионная плазма распадается впоследствии на кристаллическую и аморфную фазы. Для объяснения эффектов атом-вакансион-ного состояния использована [21, 23, 25] аналогия с поведением сверхпроводников в магнитном поле на основе формализма, в рамках которого при комбинированном внешнем воздействии ( давление кручение ( сдвиг)) в упорядоченной кристаллической фазе образуются нити неупорядоченной фазы. В неупорядоченном состоянии перенос вещества осуществляется в конвективном режиме. В неупорядоченной фазе меняется не только характер коллективного движения, но и атомный потенциальный рельеф. Если в упругой области атом совершает колебания вблизи дна потенциальной ямы, то в пластической он свободно дрейфует в пределах неупорядоченной фазы. Неупорядоченные структуры, как показали исследования методом молекулярной динамики [26] для модели двухмерного кристаллита a - Fe в виде прямоугольной области на плоскости ( 110) при числе атомов в 104, могут возникать при ударном нагружении вследствие искажения плоского импульса или взаимодействия с какой-либо неоднородностью структуры. [1]
Но состояние кристалла с порами строго одинакового радиуса крайне неустойчиво. [2]
В равновесном размагниченном состоянии кристалла границы между доменами проходят по тем местам в кристалле, которые соответствуют условиям минимума свободной энергии кристалла и обеспечивают отсутствие в нем результирующей макроскопической намагниченности. [3]
Чтобы описать состояние кристалла или вообще однофазной системы нужно знать давление р, температуру Т, объем V, а для многокомпонентных систем еще и концентрацию. Если изменяется одна величина, то это ведет одновременно к изменению других величин. Например, при нагреве кристалла изменяется его объем, если кристаллу дать возможность расширяться. Если повышение температуры происходит, напротив, в замкнутом пространстве, то повышается давление. [4]
Поэтому заполнение однодырочных состояний кристалла происходит так же, как и заполнение одноэлек-тронных состояний: в каждом стационарном состоянии кристалла может находиться не более двух дырок с противоположными спинами. [5]
Поэтому условием устойчивости состояния кристалла является отсутствие таких инвариантов. [6]
Последовательный вход отладки / Состояние кристалла 0 - последовательные данные или команды поступают в контроллер ОпСЕ через вывод DSI / OS0, когда он работает как вход. Данные, принятые по линии DSI, обрабатываются только при входе DSP в режим отладки. Данные защелкиваются по отрицательному фронту DSCK. Сдвиг данных всегда происходит, начиная со старшего бита. Если линия сконфигурирована как выход, то она совместно с сигналом OSC1 обеспечивает информацию о состоянии кристалла. Линия работает как выход, если DSP не находится в режиме отладки. При переключении с выхода на вход сигнал проходит через третье состояние. [7]
Последовательный вход отладки / Состояние кристалла 0 - сигнал поддерживает последовательную синхронизацию ОпСЕ, если работает как вход. При поступлении в порт данные защелкиваются по отрицательному фронту, из порта данные поступают по положительному фронту. Частота последовательной синхронизации должна быть не больше 1 / 8 частоты работы процессора. При переключении с выхода на вход сигнал проходит через третье состояние. При работе как выход, линия обеспечивает информацию о состоянии кристалла. Линия работает как выход, если DSP не находится в режиме отладки. [8]
Панин, В. Е. О природе конвективного состояния кристаллов в условиях сверхвысокое давление сдвиг / / Там же. [9]
Так как часто особенно интересны состояния кристаллов, близкие к основному, то у металлов особое внимание привлекает сама поверхность Ферми и ее непосредственная окрестность, а у полупроводников) - верх последней заполненной зоны, которую называют валентной, и низ первой пустой зоны - зоны проводимости. [10]
Чтобы пояснить сказанное, рассмотрим состояние кристалла с двумя экситонами. Так как энергия возбуждения такого кристалла обычно много больше ширины запрещенной зоны, указанное состояние с двумя экситонами, вообще говоря, может перейти в состояние с той же энергией, которое отвечает наличию в кристалле одной электрон-дырочной пары. Так как такого рода пара быстро релаксирует в состояние с одним экситоном, упомянутый выше переход, если только он реализуется, приводит к безызлу-чательной гибели по крайней мере одного из двух экситонов. [11]
Неопределенность, связанная с незнанием точного состояния кристалла и особенно отклонения от равновесия, не относится к измерениям при высокой температуре. [12]
В работе [18] выяснено, какие состояния кристалла необходимо прежде всего передать в рамках модели РЭЯ, с тем чтобы проанализировать спектр локальных состояний, связанных с наличием точечного дефекта, и сформулирован принцип выбора квазимолекулы для исследования электронной структуры кристалла с дефектами. [13]
Известно, что при температурах ТТ парамагнитное состояние кристалла характеризуется соотношением Ноб 60, предполагающим отсутствие магнитного упорядочения. Это означает, что среднее значение 4j 90 и обменное взаимодействие отсутствуют. При понижении температуры дезориентирующее воздействие флуктуации кристаллической решетки уменьшается, в результате чего в некоторых точках кристалла возникает ближний магнитный порядок. По нашему мнению, эти области, существующие выше Т в виде динамической равновесных роев, должны представлять зародыши будущих доменных границ. [14]
Термин неупорядоченность, используемый для описания состояния кристалла, не является вполне специфичным и применяется для обозначения ряда особенностей кристалла. [15]