Cтраница 2
Таким образом, согласно квантовой теории, состояние кристалла с атомами, покоящимися в соответствующих положениях равновесия, невозможно даже при абсолютном нуле температуры. [16]
Уравнение движения (1.9) явно демонстрирует инвариантность, состояния кристалла относительно его смещения как целого. [17]
![]() |
Диаграмма состояния системы Si02 ( по Феннеру. [18] |
При 575 наступает, по-видимому, такое состояние кристалла кварца, которое одновременно в равной степени отвечает обеим его модификациям. [19]
Эти уравнения тем точнее вообще говоря, описывают состояния кристалла, чем больше L. Однако в силу квадратичной зависимости второго слагаемого в (2.25) от объема РЭЯ сходимость результатов оказывается достаточно быстрой. [20]
Например, уравнение п р достаточно точно описывает состояние кристалла, если Кг - К и Ki - Кг, что возможно только в некотором определенном интервале температур. При использовании этих приближенных уравнений электронейтральности решение системы уравнений упрощается и приводит к более простым выражениям концентраций дефектов. [21]
Вид формул (3.29) - (3.33) сохраняется, если одноэлектрон-ные состояния кристалла классифицируются с помощью расширенной, а не минимальной элементарной ячейки. [22]
Таким образом, рассмотренная в § 1.8 классификация многоэлектронных состояний кристалла по неприводимым представлениям АИ пространственной группы сохраняется и для одноэлектронных состояний, которые характеризуются звездой волнового вектора k и номером i неприводимого представления группы волнового вектора. Одному и тому же неприводимому представлению группы симметрии кристалла может соответствовать, как и в случае молекул, несколько одноэлектронных состояний. Номер энергетической зоны п ( при фиксированном k все одноэлектронные энергии упорядочиваются в порядке возрастания) характеризует как неприводимое представление точечной группы волнового вектора, так и номер состояния с данной симметрией относительно этой группы, а вектор k определяет неприводимое представление группы трансляций. [23]
Мы приходим, таким образом, к требованию устойчивости состояния кристалла по отношению к нарушению его макроскопической однородности. [24]
В предыдущих главах были рассмотрены термические и калорические уравнения состояния кристаллов. В общем случае термодинамическая система состоит из различных компонентов ( веществ), которые объединяются в гомогенные составные части, называемые фазами. Отдельные фазы четко разделены ограничивающими поверхностями. Система из нескольких фаз является гетерогенной. Для характеристики термодинамического состояния, в котором находится система, наряду с количеством частиц Ni, принадлежащих отдельным компонентам, выше использовались переменные параметры состояния р, V, Т и U ( или Я), между которыми существуют соотношения, выражаемые уравнениями состояния. [25]
Ясно, что для того, чтобы более полно охарактеризовать состояние кристалла при низких температурах, нужно прежде всего иметь более подробные сведения о высокотемпературном, истинном равновесии. [26]
Ответ на вопрос о том, какие возбужденные состояния молекулы образуют состояния кристалла с этими типами симметрии, может быть получен из табл. 4, которая показывает, что каждое ы-состояние молекулы дает как Аи, так и Ви компоненты. Следовательно, каждый переход свободной молекулы дает две полосы поглощения в кристалле: одну, соответствующую поглощению света, поляризованного вдоль оси Ь, и другую для света, поляризованного в плоскости ас. Состояния, полученные из состояния молекулы Аи, в спектре должны проявляться практически очень слабо, потому что переход Аи, - Ag в свободной молекуле запрещен правилами отбора для молекулы, и, как можно ожидать, проявятся только вследствие межмолекулярных эффектов второго порядка. [27]
Тг - триплет-ные нижайшее ( триплетный экситон) и первое возбужденное состояний кристалла. Процесс (5.90) отвечает слиянию синглет-ного и триплетного экситонов, идущего с образованием триплет-ного экситона большой энергии. Триплетные возбуждения обладают большими временами жизни и их концентрации при стационарном возбуждении могут быть даже большими концентрации экситонов синглетных. [28]
Более корректным следует считать, что величина t0 учитывает вклад всех состояний кристалла, кроме рассматриваемого. [29]
В [81] предполагалось, что информация о положении частицы записывается в состоянии кристалла целого. Каждый атом кристалла принимался за точку, внутреннее атомов считалось пренебрежимым. [30]