Состояние - поверхность - подложка
Cтраница 3
Эпитаксиальные слои получают различными способами: напылением в высоком вакууме, кристаллизацией из раствора, расплава и при химическом взаимодействии. Свойства и структура эпи-таксиальных слоев определяются режимами технологического процесса и состоянием поверхности подложки. [31]
Поверхности твердых веществ отличаются по своему строению от внутренних частей. Поскольку связь между поверхностями зависит от молекулярных сил притяжения, то от состояния поверхности твердой подложки должна зависеть и адгезия нанесенной на на нее пленки. [32]
Как было показано [1-3], электрофизические свойства слоев арсенида галлия тесно связаны с кинетикой их роста. В данной работе представлены результаты исследований по дальнейшему выяснению влияния температуры кристаллизации и состояния поверхности подложки перед эпитаксией на кинетику роста, уровень легирования и распределение примесей в слоях. [33]
Водный раствор электролита содержит катионы осаждаемого металла, анионы, обеспечивающие более благоприятные условия осаждения, и присадки для специальных целей. На характер осаждения пленки влияют такие условия, как температура раствора, плотность тока, состояние поверхности подложки, кислотность раствора. [34]
Было изучено влияние некоторых технологических параметров, в том числе температуры подложки ( вольфрамовой нити) и концентрации реагентов, на скорость осаждения, структуру и свойства осадков. Полученные при этом принципиальные результаты были в дальнейшем подтверждены многочисленными исследованиями [11 ] и легли в основу разработки конкретных технологических процессов. В работе [132] показано, что для получения качественных осадков необходимо для каждой системы экспериментально подбирать оптимальную температуру подложки и концентрацию ( парциальное давление) компонентов паро-газовой реакционной смеси. Существенное значение для скорости осаждения покрытия имеет состояние поверхности подложки. [35]
 |
C. Влияние скорости роста и температуры подложки на структуру пленки Ge, осажденной на Gc ( lit. [36] |
Результаты работы Вольск и др. [165] имеют некоторое несоответствие по температурам превращений. Полученные им значения темпера г:) Ы вморфно-поликрнсталлического и полимонокристалличеекого превращений были значительно ниже, чем, полученные в работе Крикорнана и Сни-да. Еще недавно стоял вопрос о существовании тяк называеж-й тренпой течки в областях i-ежду кристаллитами. В результате проведенного анализа Берндт [168] пришел к выводу, что состояние поверхности подложки определяет наличие или отсутствие тройной точки на диаграмме кристаллографических фаа. [37]
Атомы испаряемого вещества, достигшие поверхности подложки, переходят из газообразной фазы в твердую или жидкую, образуя тонкую пленку. В зависимости от условий в зоне конденсации наблюдается частичное или полное отражение испаренных атомов от поверхности подложки. На процесс конденсации паров и формирование пленки существенное влияние оказывают температура подложки, скорость испарения, состояние поверхности подложки, степень вакуума. Распределение пленки по толщине на поверхности подложки зависит от формы испарителя и подложки, а также от расположения испарителя относительно подложки. [38]
При использовании этого метода между близко расположенными ( на расстоянии - 1 мм) источником и подложкой поддерживается определенная разность температур. В результате взаимодействия химически активного газа с веществом источника образуется летучее соединение, которое затем разлагается у поверхности подложки, и исходное вещество осаждается в виде тонкой пленки. Скорость роста пленки сильно зависит от кинетики процесса переноса активного газа, температуры источника и подложки, состояния поверхности подложки и, разумеется термодинамических параметров химических реакций. [39]
С образуется другая, высокотемпературная гексагональная фаза. Пленки, осаждаемые газотранспортным методом [68], всегда имеют поликристаллическук структуру, и средний размер их зерен возрастает при увеличении температуры подложки. Согласно результатам Мимила-Аройо и др. [72], при осаждении CdTe на монокристаллические подложки из CdTe газотранспортным методом в квазизамкнутом объеме всегда наблюдается ориентированный рост поликристаллических пленок. Размер зерен существенно зависит от состояния поверхности подложки ( изменяемого химическим или термическим травлением, осуществляемым перед осаждением пленки), температуры подложки и скорости роста пленки. Если ось с кристаллической решетки сульфида кадмия, из которого состоит подложка, перпендикулярна плоскости роста пленки, то образуется ярко выраженная эпитакси-альная структура, при этом направление 111 кубической решетки CdTe параллельно оси с решетки CdS. Зерна CdTe имеют форму усеченной пирамиды со стороной основания 50 мкм и высотой около 5 мкм. При повышении температуры размер зерен обычно увеличивается. Предварительное термическое травление подложки при температуре 750 С способствует строго ориентированному эпитаксиальному росту пленки и образованию зерен размером, достигающим 50 мкм и более. CdTe [74] и состоящие из зерен размером около 10 мкм. Свободная поверхность пленки пронизана порами, в то время как область вблизи границы раздела пленки с подложкой оказывается более плотной. Слои CdTe, осаждаемые электролитическим методом [75], прочно соединены с поверхностью подложки, и для получения высококачественной кристаллической стр уктуры не требуется термообработки. [40]
Страницы: 1 2 3