Состояние - транзистор
Cтраница 1
Состояние транзисторов и диодов зависит от полярностей мгновенных напряжений иб и ик. Они открыты, если эти напряжения имеют одинаковую полярность. При этом ток в обмотке реагирующего элемента ЕА максимален. По мере увеличения угла сдвига фаз между JZ6 и Пк время совместного открытого состояния соответствующих транзистора и диода в каждом полупериоде сокращается, поэтому среднее значение тока в обмотке ЕА уменьшается. [1]
Состояние транзисторов ключей переключения диапазонов определяется только положением переключателя SA2, так как напряжение низкого уровня имеется только на одном выходе дешифратора. Таким образом осуществляется переключение программ. [2]
Состояние транзистора VT1 будет меняться от Я2 до 02 ( см. рис. 9.10, е), в точке О2 ( см. рис. 9.10, г) транзистор VT2 полностью закрывается. [3]
Состояние транзисторов Т - Та на этом этапе соответствует исходному, но конденсатор С2 Раз-ряжен. Зарядка этого конденсатора происходит от источника питания Е через резистор R2 и входное сопротивление транзистора Тг. [4]
Оба состояния транзистора характеризуются малыми значениями рассеиваемой мощности. В режиме отсечки ток близок к нулю, в режиме насыщения падение напряжения на переходе эмиттер - коллектор составляет десятые доли вольта. Поэтому транзисторы при работе в режиме ключа могут управлять большими мощностями, сами при этом выделяя малую мощность. У транзисторов типа п-р - п основными носителями тока в цепи эмиттера и коллектора будут электроны, а неосновными носителями, обусловливающими ток базы - дырки. [5]
Оба состояния транзистора характеризуются малыми значениями рассеиваемой мощности. [6]
Какое состояние транзистора называется активным; насыщением; отсечкой. Укажите значения основных параметров транзистора, соответствующие границам насыщения и отсечки. [7]
Однако состояние транзистора Т2, а следовательно, и напряжение на выходе триггера при этом не изменяются. [8]
Какое состояние транзистора называется активным; насыщением; отсечкой. Укажите значения основных параметров, транзистора, соответствующие границам насыщения и отсечки. [9]
Однако состояние транзистора Г2, а следовательно, и напряжение на выходе триггера при этом не изменяются. [10]
Какое состояние транзистора называется активным; насыщением; отсечкой. Укажите значения основных параметров транзистора, соответствующие границам насыщения и отсечки. [11]
Два состояния транзистора в схеме ( закрыт при высоком и открыт при низком потенциале на входе) должны быть обеспечены при всех возможных разбросах параметров элементов схемы, а также при их изменении под воздействием температуры, напряжения питания и вследствие старения. [12]
Изменение состояния транзисторов происходит при напряжении, близком к нулевому. Открывается транзистор VT4, и на управляющем электроде симистора VS1 формируется открывающий его импульс длительностью около 10 мкс. [13]
Такому состоянию транзисторов соответствует схема рис. 6.6, а, в которой 77 представлен стянутым в точку, а электроды Т2 разомкнуты. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5