Состояние - транзистор
Cтраница 2
 |
Схемы автоколебательного мультивибратора, поясняющие процесс генерирования импульсов. [16] |
Такому состоянию транзисторов соответствует схема на рис. 4.6 а, в которой VT стянут в точку, a VT2 разомкнут. [17]
 |
Принципиальная электрическая схема блока универсального двухканального УЗВ ( AIO-1 ( переключатель установлен в режиме воспроизведения. [18] |
Управление состоянием транзисторов осуществляется ДПР. [19]
 |
Эквивалентная Н. И в режиме.| Эквивалентная схема в режиме.| Эквивалентная схема ь режиме Ш.| Эквивалентная схема в режиме / К. [20] |
Условия такого состояния транзисторов ( условия существования режима) определены из уравнений Кирхгофа для данной эквивалентной схемы. Диапазон входных токов получен из условий существования режима. [21]
Эти два состояния транзистора - открытое ( насыщенное) и закрытое - определяются соответственно точками Л и S на семействе коллекторных характеристик. [22]
В зависимости от состояния транзисторов в процессе перезаряда конденсаторов потенциалы точек К1 и К2 изменяются от нуля ( соответствующий транзистор открыт) до - Ек ( соответствующий транзистор закрыт), а потенциалы точек Б1 и Б2 - соответственно от ЕК до нуля. [23]
 |
РПЗУ на МДП-приборе с плавающим затвором. [24] |
Логическому 0 соответствует состояние транзистора без заряда электронов в диэлектрике. Чтобы обеспечить это состояние, на затвор подается импульс напряжения отрицательной полярности. При этом электроны вытесняются в подложку. При отсутствии заряда электронов иод затвором передаточная характеристика смещается в область высоких пороговых напряжений. [25]
При срабатывании триггера состояние транзисторов изменяется на противоположное. [26]
Для обоих этих крайних состояний транзистора характерно минимальное выделение в нем тепла, что является существенным преимуществом схемы. [27]
Рассмотрим с помощью осциллографа состояние транзистора р-п - р в режиме переключения. [28]
В рассмотренном ППЗУ изменение состояния МНОП транзистора достигается в результате приложения к его затвору напряжений обеих полярностей относительно заземленной подложки. Это связано с тем, что на подложку п-типа нельзя подавать отрицательный потенциал, так как это приводит к открыванию р-я-переходов стока и истока и нарушению изоляции между отдельными элементами схемы. В случае создания МНОП структур на изолирующей подложке, например сапфире, отдельные транзисторы оказываются изолированными друг от друга, и необходимость в записывающих и стирающих сигналах обеих полярностей отпадает. В таких схемах запись 0 осуществляется в результате приложения к затвору транзистора отрицательного потенциала и заземления полупроводниковой подложки. Запись 1 осуществляется в результате заземления затвора транзистора и приложения отрицательного потенциала к полупроводниковой подложке. [29]
 |
Принципиальные электрические схемы бесконтактных модуляторов. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5