Состояние - экситон
Cтраница 1
Состояние экситона в кристалле определяется вектором, очень похожим по своим свойствам на импульс. [1]
В состоянии экситона движение пары противоположных зарядов не создает тока и не влияет на электропроводность. Поэтому поглощение света с образованием экситона само по себе не создает фотопроводимости. [2]
В состоянии экситона движение пары противоположных зарядов не создает тока и не влияет на электропроводность. Поэтому поглощение света с образованием экситона само но себе не создает фотопроводимости. [3]
Самое низкое по энергии состояние экситона в этом кристалле неактивно в поглощении света в дипольном приближении, так как соответствующие одно-электронные зоны имеют одинаковую четность. [4]
При слабом экситон-фононном взаимодействии найденные выше состояния экситонов для идеальной решетки с успехом могут быть использованы в качестве состояний нулевого приближения теории, при этом волновой вектор оказывается для экситона хорошим квантовым числом. Перенос энергии электронного возбуждения в этом случае осуществляется волновыми пакетами с неопределенностью волнового вектора Ak k I / a, где а - постоянная решетки. [5]
Все они выражают искомую связь между состояниями кулоновских экситонов и тензором диэлектрической проницаемости кристалла. [6]
 |
Нижайшее экситонное состояние с переносом заряда в aft - плоскости кристалла антрацена, содержащего две неэквивалентные молекулы в элементарной ячейке. Знаками 4 - и - обозначены центры тя. [7] |
Поскольку силы осцилляторов переходов в СТ-состояния малы и эти переходы происходят в той же области энергии, что и разрешенные сильные переходы в состояния френкелевских экситонов, наблюдение СТ-состояний с помощью обычных спектроскопических методов измерения поглощения затруднительно. Тем не менее Танака [365] определил переход в СТ-состояние в области 3 1 - 3 5 эВ в кристалле а-перилена; а-перилен представляет собой моноклинный кристалл с четырьмя молекулами в элементарной ячейке, состоящий из физических димеров перилена. Переходы в СТ-состояние были идентифицированы как в а-перилене, так и в а-9 10-дихлорантрацене посредством определения поляризации перехода, вектор которой оказался лежащим вне кристаллической плоскости; близость этих двух молекул увеличивала силу осцилля-тора перехода. [8]
На основании (7.67) можно сделать следующие предположения: 1) только нечетные фононные моды усиливаются при резонансе с S и D экситонными состояниями; 2) нечетные, так и четные фононы усиливаются при резонансе с Р - состояниями экситона; 3) как входные, так и выходные резонансы должны наблюдаться для S -, Р - и D-состояний. Из рис. 7.34 а видно, что резонансы с ЗР - и 4Р - состояниями действительно наблюдаются, хотя они и слабее, чем резонансы с S - и D-состояниями. Предположительно это связано с их большими постоянными затухания, поскольку Р - состояния имеют большую вероятность радиационного распада. [9]
Как это впервые было показано Эваль-дом ( см. в [119]), величина Z / ( 2) ( k) как раз и определяется вкладом макроскопической части продольного электрического поля и, в силу сказанного ранее, должна быть опущена при нахождении состояний механических экситонов. Как было показано в [116], это обстоятельство делает теоретико-групповую классификацию состояний механических экситонов более простой, чем соответствующая классификация кулоновских экситонов. [10]
Важные результаты достигнуты в исследованиях коллективных свойств экситонов. Перспективны надежды, возлагаемые на сверхплотные состояния экситонов. Работы, ведущиеся в этом направлении, нацелены на получение в конечном счете новой формы вещества - эк -, ситонного вещества. Это вещество должно обладать свойством сверхтекучести. Оно будет способно существо - WTb в двух агрегатных состояних - жидком и газообразном. [11]
Как это впервые было показано Эваль-дом ( см. в [119]), величина Z / ( 2) ( k) как раз и определяется вкладом макроскопической части продольного электрического поля и, в силу сказанного ранее, должна быть опущена при нахождении состояний механических экситонов. Как было показано в [116], это обстоятельство делает теоретико-групповую классификацию состояний механических экситонов более простой, чем соответствующая классификация кулоновских экситонов. [12]
На рис. 98 и 99 нельзя отобразить фононное и плазменное поглощения, так как уровни энергии, приведенные на этих рисунках, относятся к одноэлектронному приближению и изобразить на этих диаграммах энергию колебаний решетки или системы электронов и дырок ( плазмы) в принципе невозможно. Экситон-ные переходы ( см. рис. 104) 5, 5а изображены здесь условно, так как задача о состояниях экситона - это задача о взаимодействии двух частиц: электрона и дырки, и показанные уровни Еэкс условно изображают состояние только одной частицы из этой пары - электрона. [13]
Ближе к резонансу, однако, интенсивность запрещенного рассеяния резко возрастает, тогда как разрешенное рассеяние в действительности ослабевает, как это видно из выше расположенных спектров. Теоретическое выражение ( 3 33) для сечения РКРС, соответствующее третьему порядку теории возмущений, было применено для этого случая Мартином [3.12], который использовал предположение о существовании изотропных водородоподобных экситонных промежуточных состояний и обнаружил, что точный расчет абсолютного сечения рассеяния при конечном волновом векторе ц требует суммирования по всем промежуточным состояниям, включая область непрерывных состояний экситона. [14]
Следовательно, экситонные уровни в двухчастичной энергетической схеме на рисунке 6.20 б могут быть представлены параболами. Позднее мы покажем, что волновая функция экситонного состояния с волновым вектором центра масс экситона К является линейной комбинацией многих волновых функций электрон-дырочных пар с волновыми векторами kG и feh. Таким образом, одночастичная схема на рис. 6.20 а является неправильной даже для состояний экситона в континууме. [15]
Страницы: 1 2