Сверхвозбужденное состояние
Cтраница 1
 |
Зависимости квантового выхода i. / процесса деления синглетных экситонов в кристаллах антрацена и - терфенила от энергии облучающих фотонов, рассчитанные по формуле. [1] |
Сверхвозбужденное состояние S образуется из основного состояния молекулы S0, имеющего положительную ( g) четность, при его однофотонном оптическом возбуждении и поэтому первоначально имеет отрицательную ( и) четность. Флуоресцирующее синглетное возбужденное состояние ( с) должно иметь отрицательную четность ( и - состояние), так как переход в него из четного основного g - состояния дипольно-разрешен. Из-за того что кулоновское взаимодействие, ответственное за процесс деления, имеет четный характер, частицы ( с) должны рождаться в результате деления четного состояния; следовательно, делящееся состояние ( и) должно быть четным. [2]
Вероятность образования сверхвозбужденного состояния и его последующей ионизации может быть существенно большей, чем ве роятность прямой ионизации, происходящей за время 1 ( Г1в сек. [3]
Эти носители образуются при автоионизации сверхвозбужденных состояний. [4]
 |
Зависимость вероятности Р ионизации и возбуждения от энергии Л., переданной молекуле гептана при столкновении с электроном с внергиен 70 эв. [5] |
Из этого рисунка видно, что сверхвозбужденные состояния еще существуют при AZ. В табл. 24 приведены: значения вероятностей Р ионизации различных атомов и молекул в максимуме функции ионизации. [6]
 |
Зависимость полного сечения ионизации о от энергии электронов по данным обзора. [7] |
Однако процессы, в которых возникают сверхвозбужденные состояния, и их автоионизация изучены пока слабо по сравнению с прямой ионизацией. [8]
Основным каналом гибели плазмонов является образование сверхвозбужденных состояний отдельных молекул с энергией около 20 эВ, поэтому радиационные выходы делокализованных плазмонов и более локализованных сверхвозбужденных состояний должны быть близки. [9]
Это значение С близко к максимальному, ожидаемому при образовании сверхвозбужденных состояний. В свете того обстоятельства, что при распаде сверхвозбужденных состояний на каждую неионизованную молекулу приходится около четырех ионизованных, отсутствие экспериментально наблюдаемых ионизованных состояний означает, что носители не были разделены и удалены друг от друга с помощью внешнего электрического поля. Таким образом, причиной низкого выхода свободных носителей является не только конкурирующее с автоионизацией образование связанных молекулярных состояний, но и эффективная начальная, или парная, рекомбинация носителей. Следовательно, рекомбинируюшие носители являются основным источником электронно-возбужденных молекул. Подробнее начальная рекомбинация ( процесс 5 на рис. 3.1.2) будет рассмотрена в пазд. [10]
 |
Определение коэффициента экситон-экситонной аннигиляции ys. синглетных состояний в антрацене. [11] |
Скорость автоионизации в антрацене оценивается в 1014 с 1, и скорость распада сверхвозбужденного состояния на два синглета конкурирует с АИ. Следовательно, образование экси-тонных пар подтверждает существование сверхвозбужденного синглетного состояния. [12]
Возвращаясь к рассмотрению процессов диссипации энергии в высоковозбужденных молекулах ( см. рис. 3.1.2), отметим, что первоначально с наибольшей вероятностью образуются сверхвозбужденные состояния с энергией - 20 эВ, поэтому результатом их автоионизации ( процесс 2 на рисунке) могут быть только относительно медленные электроны. [13]
Основным каналом гибели плазмонов является образование сверхвозбужденных состояний отдельных молекул с энергией около 20 эВ, поэтому радиационные выходы делокализованных плазмонов и более локализованных сверхвозбужденных состояний должны быть близки. [14]
Вторично возбужденная молекула - это молекула, получившая энергию в результате нейтрализации молекулярного иона электроном. Сверхвозбужденные состояния ( выше 10 эв) имеют очень малое время жизни [18] и не могут фиксироваться в жидкой фазе имеющимися в настоящее время методами. В связи с этим в зависимости - от пути распада сверхвозбужденных молекул на нейтральные или заряженные частицы эти состояния фиксируются как первичные или вторичные состояния возбуждения. В работах [16, 17] показано, что при распаде вторично возбужденных молекул гептана возникают атомы водорода, гептильные радикалы и радикалы с меньшим числом атомов углерода в результате разрыва С-С - связи. Распад первично возбужденных молекул приводит к образованию молекулярного водорода и молекулярных гептенов. [15]
Страницы: 1 2