Открытое состояние
Cтраница 1
Открытое состояние характеризуется отсутствием напряжения затвор - исток, при этом поле внутри канала отсутствует и проводимость канала максимальна. В этом состоянии на электродах сток - исток нет статического напряжения ( как это было для биполярных транзисторов) и полевой транзистор можно представить в виде обычного омического сопротивления, величина которого зависит лишь от геометрии прибора и материала. [1]
Открытое состояние в общем виде описывается системой трех уравнений - переноса зарядов, непрерывности и Пуассона, - связывающих концентрации зарядов и их изменения, дрейфовые и диффузионные составляющие тока и электрические свойства р - n переходов и многослойной структуры. Напрямую система этих уравнений не решается. [2]
Открытое состояние соответствует большому току в цепи коллектора и базы. При этом транзистор может находиться либо в режиме насыщения, либо в активном режиме. [4]
Открытое состояние структуры характеризуется тем, что все р - гс-пере-ходы смещены в прямом направлении, ток через структуру ограничивается внешней цепью, а в базовых слоях накапливаются избыточные носители заряда. В работах [42, 70, 71] достаточно подробно рассмотрена характеристика открытой структуры. Проанализированы различные случаи: малого уровня инжекции в обеих базах, малого уровня инжекции в одной базе и высокого - в Другой базе, высокого уровня инжекции в обеих базах. Оценки показывают [41], что для р - п - р - / z - структур, которые являются основой мощных полупроводниковых приборов, условие низкого уровня инжекции в обеих базах выполняется при токах, меньших токов переключения и составляющих единицы миллиампер. [5]
Открытое состояние полупроводникового прибора с четырехслойной структурой сохраняется, пока через него протекает ток, обеспечивающий выполнение равенства ai Os. Наименьшее значение этого тока называется удерживающим током / уд. [6]
 |
График к определению рабочих точек при последовательном соединении двух туннельных диодов. [7] |
Открытому состоянию какого-либо диода соответствует низкое напряжение, запертому - высокое. [8]
Для открытого состояния при установившемся токе через диодный тиристор также должен сохраниться баланс токов. Это предположение, соответствующее смещению коллекторного перехода в прямом направлении, позволяет понять существование равенства полных потоков носителей заряда разных знаков во всех сечениях тиристорной структуры при установившемся режиме в открытом состоянии. [9]
 |
Принципиальная схема модуля питания М4 - 1 - 7. [10] |
Время открытого состояния VT3 определяется соотношением между постоянным напряжением на его базе, приходящим с усилителя ошибки VT5, и напряжением с резистора R18, по которому протекает пилообразный ток оконечного каскада; как только напряжение на эмиттере превысит напряжение на базе, транзистор VT3 закрывается. [11]
Для открытого состояния при установившемся токе через диодный тиристор также должен сохраниться баланс токов. Это предположение, соответствующее смещению коллекторного перехода в прямом направлении, позволяет понять существование равенства полных потоков носителей заряда разных знаков во всех сечениях тиристорной структуры при установившемся режиме в открытом состоянии. [12]
Время открытого состояния селектора и работы счетчика определяется точно калиброванным импульсом, формирующимся в цепи управления из напряжения внутреннего или внешнего опорного генератора с кварцевой стабилизацией. Частота обычно выбирается равной 1 или 5 МГц, и поэтому после опорного генера-тора включаются делители частоты, на выходах которых образуются частоты в 10 раз ниже частоты генератора. Длительность калиброванных импульсов увеличивается во столько же раз. Практически время счета Т0 можно устанавливать равным 1, 10, 100 мс и 1 и 10 с. Кроме калиброванного импульса для образования времени счета, цепь управления вырабатывает импульсы для автоматического сброса показаний и установления времени индикации. При ручном управлении длительность времени индикации не ограничена. [13]
 |
Блокинг-генератор и разрядная лампа. [14] |
Время открытого состояния лампы определяет длительность отрицательного импульса на аноде. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5