Открытое состояние - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 5
Если третье лезвие бреет еще чище, то зачем нужны первые два? Законы Мерфи (еще...)

Открытое состояние

Cтраница 5


В открытом состоянии тиристор находится до тех пор, пока за счет проходящего тока поддерживаются избыточные заряды в базах, необходимые для понижения высоты потенциального барьера коллекторного перехода до величины, соответствующей прямому его включению.  [61]

В открытом состоянии тиристор находится до тех пор, пока за счет проходящего тока поддерживается количество избыточных зарядов в базах, необходимое для понижения высоты потенциального барьера коллекторного перехода до величины, соответствующей прямому его включению.  [62]

В открытом состоянии происходит инжекция носителей тока в базу диода, и ее сопротивление падает.  [63]

В открытом состоянии проводят ток в обоих направлениях, в закрытом состоянии блокируют сигнал с амплитудой 15 В. Каждый ключ имеет свою схему управления.  [64]

В открытом состоянии активный элемент пропускает максимальный ток и имеет на выходе минимальное напряжение, определяемое его остаточным напряжением. В закрытом состоянии ток активного элемента минимален, а выходное напряжение максимально и близко к напряжению источника питания. Такой элемент называют ключом.  [65]

В открытом состоянии биполярный транзистор, как правило, работает в режиме насыщения и его внутреннее сопротивление мало. Крутой участок характеристик МДП-транзисторов соответствует большой проводимости канала и, следовательно, также малому внутреннему сопротивлению транзистора.  [66]

В открытом состоянии у однопереходного транзистора увеличение тока эмиттера А / э вызывает уменьшение сопротивления базы и соответственно увеличение тока базы А / Б, при этом коэффициент передачи тока А / б / Д / э к [ 1 ( Щг / М - р) ] 1 может быть сделан больше единицы, где лп - подвижность электронов, определяющая ток базы; & р - подвижность дырок, в основном определяющая ток эмиттера. Наибольшим этот коэффициент оказывается у кремниевого однопереходного транзистора с базами, выполненными из полупроводника л-типа, так как для кремния отношение цп / № р оказывается наибольшим.  [67]



Страницы:      1    2    3    4    5