Медленное состояние
Cтраница 1
Медленные состояния характеризуются временем захвата в пределах от нескольких миллисекунд до многих часов. Они локализованы дальше от границы кристалла внутри окисла. [1]
Медленные состояния в рекомбинации не участвуют: они служат ловушками захвата носителей. [2]
Медленные состояния расположены внутри оксидного слоя или на его внешней поверхности. Их расстояние от полупроводника должно быть достаточно большим, при котором практически исключается вероятность туннельного перехода. [3]
 |
Структура реальной поверхности полупроводника. [4] |
Названия быстрые и медленные состояния появились потому, что они различаются временем установления равновесия зарядов на соответствующих уровнях. [5]
Под медленными состояниями понимают такие, времена релаксации которых составляют от миллисекунды до нескольких часов. Очевидно, эту роль играют локальные состояния, расположенные внутри оксидного слоя. [6]
Предполагается, что медленные состояния локализуются на внешней поверхности окисной пленки. Медленность установления равновесия их с объемом полупроводника обусловлена тем, что для прохождения электронов сквозь окисный слой, являющийся изолятором, требуется значительное время. С увеличением толщины окисной пленки постоянная времени увеличивается. [7]
Особенно большое количество медленных состояний наблюдается в окисных пленках, образованных при нормальной температуре либо путем естественного окисления, либо химического осаждения. В таких несовершенных пленках во много раз увеличиваются скорости перемещения ионов и нейтральных атомов даже при нормальной температуре, а величина Поверхностного заряда нестабильна во времени. Вследствие неоднородности пленки величина поверхностного заряда неодинакова также и в разных участках поверхности. [8]
Так как концентрация медленных состояний велика, то весь заряд, индуцированный полем. [9]
Поверхность полупроводника характеризуется наличием быстрых и медленных состояний как донорного, так и акцепторного типа. [10]
Таким образом осуществляется откачка электронов с медленных состояний. В результате этого медленные состояния заряжаются положительно, что опять приводит к нарастанию ( по уже медленному) неподвижного положительного заряда и к медленному росту умножения. В результате ток утечки медленно увеличивается. [11]
Обмен носителями между объемом полупроводника и медленными состояниями происходит двумя путями: туннелированием сквозь пленку и эмиссией через потенциальный барьер. Для тонких оксидных пленок более вероятным становится туннельный механизм. [12]
Все это дало основание считать, что роль медленных состояний выполняют адсорбционные комплексы. [14]
При этом центр из быстрого рекомби-национного состояния превращается в медленное состояние, которое не участвует в процессах рекомбинации и захвата в наших опытах. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5